[发明专利]改善冠状缺陷的线路结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种线路结构及其制作方法，且特别是涉及一种改善冠状缺陷的线路结构及其制作方法。 

背景技术

铜导线随着线宽越来越窄，使得光刻及蚀刻的制作工艺的困难度增加，因而容易发生对位失准或过渡蚀刻的现象，造成芯片的产能下降及线路出现冠状缺陷(crown-like defect)的问题。出现冠状缺陷的原因之一是裸露的铜导线与线路表面的镀金层同时接触到蚀刻液时，由于铜与金的氧化电位不同，而使铜导线产生伽凡尼反应(Galvanic reaction)。也就是说，不同氧化电位的金属同时在蚀刻液中，会因电位差而产生电化学反应。氧化电位高的金属(例如铜)形成阳极，而氧化电位低的金属(例如金)形成阴极。氧化电位高的铜金属在电化学反应中，会形成铜离子而溶解在蚀刻液中，因此铜导线的底部快速地被腐蚀而出现冠状缺陷。此外，蚀刻液中的铜离子得到电子之后还原而沉积在氧化电位低的金属上，造成镀金层的颜色变深。上述的线路蚀刻制作工艺有待进一步解决。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善冠状缺陷的线路结构及其制作方法，用以避免发生伽凡尼反应及抗氧化层变色的情形。 

为达上述目的，根据本发明的一方面，提出一种改善冠状缺陷的线路结构，包括一基材、一电镀籽晶层、一铜层、一阻障层以及一抗氧化层。电镀籽晶层形成于基材上。铜层形成于电镀籽晶层上，铜层及部分电镀籽晶层经蚀刻而形成一线路层。阻障层至少覆盖铜层的一顶部，阻障层的氧化电位大于铜层的氧化电位。抗氧化层全面性覆盖阻障层以及线路层所显露的表面上。 

根据本发明的另一方面，提出一种改善冠状缺陷的线路制作方法，包括下列步骤：提供一基材，基材上形成有一电镀籽晶层以及一图案化光致抗蚀剂层，图案化光致抗蚀剂层具有一开口。形成一铜层于开口中，铜层的底部覆盖于电镀籽晶层上。形成一阻障层于铜层上，阻障层至少覆盖铜层的一顶部，其中阻障层的氧化电位大于铜层的氧化电位。移除图案化光致抗蚀剂层，以进行一蚀刻制作工艺，其中裸露的铜层及部分电镀籽晶层经蚀刻而形成一线路层。进行一浸渍制作工艺，以全面性形成一抗氧化层于阻障层以及线路层所显露的表面上。 

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下： 

附图说明

图1为本发明一实施例的改善冠状缺陷的线路结构的剖面示意图； 

图2为本发明一实施例的改善冠状缺陷的线路制作方法的流程图； 

图3为本发明一实施例的改善冠状缺陷的线路结构的剖面示意图； 

图4A～图4E为本发明一实施例的改善冠状缺陷的线路制作方法的流程图。 

主要元件符号说明 

100：线路结构 

110：基材 

112：图案化光致抗蚀剂层 

112a：开口 

120：电镀籽晶层 

122：底金属层 

130：铜层 

131：顶部 

132：线路层 

140：阻障层 

141：上表面 

150：抗氧化层 

160：防焊层 

170：焊料凸块 

A：区域 

具体实施方式

请参考图1及图2，其中图1绘示依照一实施例的改善冠状缺陷的线路结构的剖面示意图，图2绘示依照一实施例的改善冠状缺陷的线路制作方法的流程图。上述的线路结构100包括一基材110、一电镀籽晶层120、一铜层130、一阻障层140以及一抗氧化层150。铜层130形成于电镀籽晶层120上。铜层130及部分电镀籽晶层120经蚀刻而形成一线路层132。阻障层140至少覆盖铜层130的一顶部131。阻障层140的氧化电位大于该铜层130的氧化电位。抗氧化层150全面性覆盖阻障层140以及线路层132所显露的表面上。