[发明专利]一种多晶硅反应炉清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅领域，特别是涉及一种多晶硅反应炉清洗装置。

背景技术

在该多晶硅反应炉中制造多晶硅时，热分解和氢还原反应时作为副产品生成的氯硅烷聚合物凝结并附着于冷却了的反应炉的内壁面。若要取出析出的多晶硅，必须将反应炉向大气开放。此时，氯硅烷聚合物与大气中的水分发生水解反应，生成氯化氢。该氯化氢腐蚀反应炉的内壁面，使作业区域恶化，对多晶硅产品而言是污染源。而且，在氯硅烷聚合物附着于反应炉壁的状态下，反应炉内壁面的反射率降低，不反射来自加热后的硅棒的辐射热，电力使用效率降低.因此，为了高效率地制造高纯度的多晶硅，需要在一次反应结束时且转移到下一反应之前，除去附着于反应炉内壁面的氯硅烷聚合物。向具有凹凸的反应炉内壁面整个区域无遗漏地喷射高速喷射流是较为困难的，有时无法完全除去附着物。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种高效率且可靠地除去多晶硅反应炉内壁面的附着物的反应炉清洗装置，能够解决背景技术的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种多晶硅反应炉清洗装置，包括：圆盘形承接盘、贯通口、排液口、喷嘴装置、活动装置、洗刷装置，所述承接盘水平设置在反应炉内，所述贯通口沿铅直方向设置在承接盘的中央部，承接盘一侧设置有排液口，承接盘的外周部设有凸缘部，所述贯通口一端连接有轴，所述轴端部设置有喷嘴装置及洗刷装置，所述洗刷装置与轴之间通过活动装置连接。

在本发明一个较佳实施例中，所述承接盘的上表面以朝向所述排液口具有向下抖坡的方式倾料。

在本发明一个较佳实施例中，所述喷嘴装置向三维方向高压喷射清洗液。

在本发明一个较佳实施例中，所述活动装置可以纵向伸缩，0-360°旋转。

在本发明一个较佳实施例中，所述洗刷装置有软性吸收材料。

本发明的有益效果是：本发明可无遗漏地将清洗水直接喷到反应炉内壁面的整个区域，通过清洗装置有效并完全去除附着物，还将清洗中产生的盐酸气体等从排液口排出到系统外。

附图说明

图1是本发明多晶硅反应炉清洗装置一较佳实施例的立体结构示意图；

附图中各部件的标记如下：1、承接盘，2、贯通口，3、排液口，4、凸缘部，5、喷嘴装置，6、活动装置，7、洗刷装置，8、轴。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1和图2，本发明实施例包括：

一种多晶硅反应炉清洗装置，包括：圆盘形承接盘1、贯通口2、排液口3、喷嘴装置5、活动装置6、洗刷装置7，所述承接盘1水平设置在反应炉内，所述贯通口2沿铅直方向设置在承接盘1的中央部，承接盘一侧设置有排液口3，承接盘1的外周部设有凸缘部4，所述贯通口一端连接有轴8，所述轴8端部设置有喷嘴装置及洗刷装置，所述洗刷装置与轴8之间通过活动装置连接。

所述承接盘1的上表面以朝向所述排液口3具有向下抖坡的方式倾料由此，向反应炉内壁面喷射后而收容于承接盘1的清洗废液容易被引导到排液口3，因此能够容易地对清洗后的清洗废液进行处理。

所述喷嘴装置5向三维方向高压喷射清洗液，所述活动装置6可以纵向伸缩，0-360°旋转，所述洗刷装置7有软性吸收材料。设于轴8的上端的喷嘴装置5可在反应炉的内壁面的上下范围内有效地喷射清洗液，活动装置6通过伸缩和旋转，有效的使洗刷装置7企清洗到反应炉的内壁面每一处附着物。

本发明的有益效果是：根据本发明的反应炉清洗装置，能够在从反应炉的内壁面的上部到下部的范围内三维地向各方向高压喷射清洗水，通过活动装置6和洗刷装置7可无遗漏地将反应炉内壁面的整个区域进行清洗。还将清洗中产生的盐酸气体等从排液口3排出到系统外，并且利用清洗水将附着物水解而生成硅。因此，对清洗后的反应炉的处理也是安全的，可高效率且可靠地除去残留清洗液。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。