[发明专利]可挠式发光二极管封装结构及其制造方法无效
申请号: | 201110370754.2 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN103123949A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 罗杏芬 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠式 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种可挠式发光二极管封装结构,其包括可挠式基板以及设置在该可挠式基板上的发光二极管芯片,其特征在于:所述可挠式基板包括一软性基板及一硬性基板,所述硬性基板包括一顶面、与所述顶面相对的底面以及连接该顶面和底面的侧表面,所述发光二极管芯片设置在硬性基板的顶面上,所述软性基板围设连接在硬性基板侧表面上,并且硬性基板的底面暴露在软性基板外。
2.如权利要求1所述的可挠式发光二极管封装结构,其特征在于:所述软性基板的底面到硬性基板的顶面的距离小于等于所述硬性基板的底面到硬性基板的顶面的距离。
3.如权利要求1所述的可挠式发光二极管封装结构,其特征在于:所述硬性基板的底面与所述软性基板的底面齐平。
4.如权利要求1所述的可挠式发光二极管封装结构,其特征在于:所述硬性基板的顶面分别设置有两个电极,并且该两个电极分别从硬性基板的顶面及侧表面露出,所述发光二极管芯片与所述两个电极在硬性基板的顶面露出的部分电性连接,所述软性基板上还设置有两个导电电极,该导电电极分别与两个电极在硬性基板的侧表面露出的部分电性连接。
5.如权利要求4所述的可挠式发光二极管封装结构,其特征在于:所述可挠式发光二极管封装结构还包括一透明覆盖层,所述透明覆盖层覆盖在导电电极及发光二极管芯片上。
6.如权利要求5所述的可挠式发光二极管封装结构,其特征在于:所述可挠式发光二极管封装结构还包括一反射杯结构,该反射杯结构从顶面沿底面方向开设形成一容置杯,发光二极管芯片容置在该容置杯中,透明覆盖层覆盖在容置杯的顶部开口上。
7.一种可挠式发光二极管封装结构的制造方法,该方法包括以下几个步骤:
步骤1,提供一临时基板,在该临时基板上设置至少一硬性基板,该硬性基板包括一顶面、与所述顶面相对的底面以及连接该顶面和底面的侧表面,所述硬性基板的底面设置在临时基板上;
步骤2,在临时基板上设置软性基板,该软性基板围设连接在硬性基板侧表面上;
步骤3,将至少一个发光二极管芯片设置在硬性基板的顶面上;及
步骤4,去除临时基板。
8.如权利要求7所述的可挠式发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:每个硬性基板的顶面上分别设置有两个电极,并且该两个电极分别从硬性基板的侧表面上暴露,在步骤2之后还包括在软性基板上设置导电电极,该导电电极分别与两个电极在硬性基板的侧表面上露出的部分电性连接的步骤。
9.如权利要求8所述的可挠式发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:在步骤3之后还包括将一透明覆盖层覆盖在导电电极以及发光二极管芯片的步骤。
10.如权利要求9所述的可挠式发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述软性基板上还设置有反射杯结构,该反射杯结构从顶面沿底面方向开设形成多个容置杯,多个硬性基板分别容置在每个容置杯中,透明覆盖层覆盖在容置杯的顶部开口上。
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