[发明专利]隔离型高耐压场效应管的版图结构

权利要求书

1.一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，其特征在于，包括漏区(201)、源区(202)、漏区漂移区(203)、漂移区(102)、源区多晶硅场板及栅极(109)和漏区多晶硅场板(110)；

所述源区多晶硅场板及栅极(109)为通过圆弧场板连接的内外双层U型结构，且U型结构的开口处通过源区多晶硅场板及栅极(109)封闭；所述漏区多晶硅场板(110)也为内外双层U型结构，内外双层通过圆弧场板连接，且漏区多晶硅场板(110)位于源区多晶硅场板及栅极(109)的内外双层U型结构之间；

所述漏区(201)位于闭合的漏区多晶硅场板(110)内，漏区漂移区(203)位于源区多晶硅场板及栅极(109)和漏区多晶硅场板(110)之间，源区(202)位于源区多晶硅场板及栅极(109)的外层之外及内层和外层之间，所述源区(202)和漏区(201)位于漂移区(102)内，源区(202)与硅基板衬底(101)被漂移区(102)隔离。

2.根据权利要求1所述的隔离型高耐压场效应管的版图结构，其特征在于，被源区多晶硅场板及栅极(109)封闭的内外双层U型结构开口处(A)的场效应管为：

所述硅基板衬底(101)中形成具有第一导电类型的阱区(103)，阱区(103)由具有第一导电类型的第三有源区(108)引出，源端由具有第二导电类型的第二有源区(106)形成，第二有源区(106)和第三有源区(108)相连接形成源区(202)，源区(202)下方形成有具有第一导电类型的第二掺杂区(104a)；

具有第一导电类型的硅基板衬底(101)上形成一具有与第一导电类型相反的第二导电类型的漂移区(102)，所述漂移区(102)中包括漏区漂移区(203)，漏区漂移区(203)中生成有场氧隔离(105)，场氧隔离(105)的一端位于漂移区(102)中，另一端位于漂移区(102)外，场氧隔离(105)的下方形成具有第一导电类型的第三掺杂区(104b)，第三掺杂区(104b)和第二掺杂区(104a)之间有一段距离，第三掺杂区(104b)远离源区(202)的一端位于漂移区(102)外包围漂移区(102)，且与硅基板衬底(101)连接；

所述源区(202)位于漂移区(102)的内部，阱区(103)和第二掺杂区(104a)位于源区(202)下方的漂移区(102)内，与硅基板衬底(101)之间通过漂移区(102)隔离。

3.根据权利要求2所述的隔离型高耐压场效应管的版图结构，其特征在于，所述第三掺杂区(104b)位于漂移区(102)外的宽度为2μm。

4.根据权利要求1所述的隔离型高耐压场效应管的版图结构，其特征在于，版图结构中在被源区多晶硅场板及栅极(109)封闭的内外双层U型结构开口处(A)以外位置的场效应管为：

在具有第一导电类型的硅基板衬底(101)上形成一具有与第一导电类型相反的第二导电类型的漂移区(102)，所述漂移区(102)中包括漏区漂移区(203)，所述漏区漂移区(203)由具有第二导电类型的第一有源区(107)引出形成漏区(201)，漏区漂移区(203)中生成有场氧隔离(105)，场氧隔离(105)的下方形成具有第一导电类型的第一掺杂区(104)；

所述硅基板衬底(101)中形成具有第一导电类型的阱区(103)，阱区(103)由具有第一导电类型的第三有源区(108)引出，源端由具有第二导电类型的第二有源区(106)形成，第二有源区(106)和第三有源区(108)相连接形成源区(202)，源区(202)下方形成有具有第一导电类型的第二掺杂区(104a)，第二掺杂区(104a)和场氧隔离(105)下的第一掺杂区(104)之间有一段距离；

所述源区(202)位于漂移区(102)的内部，阱区(103)与硅基板衬底(101)被漂移区(102)隔离。