[发明专利]隔离型高耐压场效应管的版图结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种隔离型高耐压场效应管版图结构。

背景技术

目前所使用的在P型硅基板衬底301上形成的隔离型高耐压N型场效应管，截面如图2所示，在P型硅基板衬底101上形成N型的漂移区102，所述漂移区102中包括漏区漂移区203，所述漏区漂移区203由N型的第一有源区107引出形成漏区201，漏区漂移区203中生成有场氧隔离105，场氧隔离105的下方形成P型的第一掺杂区104，在漏区201加高压时，P型第一掺杂区104提供空穴更容易和漏区漂移区203中的电子中和，产生耗尽区以提高漏区201的耐压。P型硅基板衬底101中形成P型的阱区103，阱区103由P型的第三有源区108引出，源端由N型的第二有源区106形成，第二有源区106和第三有源区108相连接形成源区202，源区202下方形成有P型的第二掺杂区104a，第二掺杂区104a和场氧隔离105下的第一掺杂区104之间有一段距离。所述源区202位于漂移区102的内部，阱区103与P型硅基板衬底101被N型漂移区102隔离。

场氧隔离105靠近源区202的一端上方覆盖有源区多晶硅场板及栅极109，其一端覆盖在第一掺杂区104靠近源区202的区域上，另一端覆盖在第二掺杂区104a靠近漏区漂移区203的区域上。场氧隔离105靠近漏区201的一端上方覆盖有漏区多晶硅场板110，所述漏区多晶硅场板110通过金属场板112和第一有源区107相连接。与金属场板111相距一段距离处设有金属场板113，所述金属场板113和栅极多晶硅连接，既形成金属场板，又因为和栅极并联而降低栅极电阻。

上述隔离型场效应管的平面版图结构如图1所示，B′-B′和C′-C′处的截面如图2结构，器件尾部的源端上方(图1中的A′处)的截面如图3所示，没有源区多晶硅场板，因此电场集中在此处，容易引起器件击穿降低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，可以改善器件尾部电场集中的问题，提高器件的击穿电压。

为解决上述技术问题，本发明隔离型高耐压场效应管的版图结构，包括漏区、源区、漏区漂移区、漂移区、源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板；

所述源区多晶硅场板及栅极为通过圆弧场板连接的内外双层U型结构，且U型结构的开口处通过源区多晶硅场板及栅极封闭；所述漏区多晶硅场板也为内外双层U型结构，内外双层通过圆弧场板连接，且漏区多晶硅场板位于源区多晶硅场板及栅极的内外双层U型结构之间；

所述漏区位于闭合的漏区多晶硅场板内，漏区漂移区位于源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板之间，源区位于源区多晶硅场板及栅极的外层之外及内层和外层之间，所述源区和漏区位于漂移区内，源区与硅基板衬底被漂移区隔离。

其中，被源区多晶硅场板及栅极封闭的内外双层U型结构开口处的场效应管为：

所述硅基板衬底中形成具有第一导电类型的阱区，阱区由具有第一导电类型的第三有源区引出，源端由具有第二导电类型的第二有源区形成，第二有源区和第三有源区相连接形成源区，源区下方形成有具有第一导电类型的第二掺杂区；

具有第一导电类型的硅基板衬底上形成一具有与第一导电类型相反的第二导电类型的漂移区，所述漂移区中包括漏区漂移区，漏区漂移区中生成有场氧隔离，场氧隔离的一端位于漂移区中，另一端位于漂移区外，场氧隔离的下方形成具有第一导电类型的第三掺杂区，第三掺杂区和第二掺杂区之间有一段距离，第三掺杂区远离源区的一端位于漂移区外包围漂移区，且与硅基板衬底连接；

所述源区位于漂移区的内部，阱区和第二掺杂区位于源区下方的漂移区内，与硅基板衬底之间通过漂移区隔离。

进一步地，所述第三掺杂区位于漂移区外的宽度为2μm。

其中，版图结构中在被源区多晶硅场板及栅极封闭的内外双层U型结构开口处以外位置的场效应管为：

在具有第一导电类型的硅基板衬底上形成一具有与第一导电类型相反的第二导电类型的漂移区，所述漂移区中包括漏区漂移区，所述漏区漂移区由具有第二导电类型的第一有源区引出形成漏区，漏区漂移区中生成有场氧隔离，场氧隔离的下方形成具有第一导电类型的第一掺杂区；

所述硅基板衬底中形成具有第一导电类型的阱区，阱区由具有第一导电类型的第三有源区引出，源端由具有第二导电类型的第二有源区形成，第二有源区和第三有源区相连接形成源区，源区下方形成有具有第一导电类型的第二掺杂区，第二掺杂区和场氧隔离下的第一掺杂区之间有一段距离；