[发明专利]高压隔离N型LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压隔离N型LDMOS器件，其特征在于，在P型衬底上形成有一深N型阱，在所述深N型阱中形成有一较所述深N型阱深的非常深N型阱，在所述非常深N型阱中形成有一P型阱，在所述P型阱同所述深N型阱邻接区域上方形成有多晶硅栅，在位于所述多晶硅栅一侧的所述P型阱上形成有器件源端及体端，在位于所述多晶硅栅相反一侧的深N型阱上形成有器件漏端。

2.根据权利要求1所述的高压隔离N型LDMOS器件，其特征在于，所述深N型阱的深度是所述非常深N型阱的深度的三分之一到四分之三。

3.一种高压隔离N型LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在P型硅衬底上形成掩蔽膜，刻蚀掩蔽膜到硅衬底上表面，形成一个非常深N型阱离子注入选择窗口；

二.进行第一浓度的N型离子注入及第一强度的N型离子扩散，形成一个非常深N型阱；

三.刻蚀非常深N型阱离子注入选择窗口两侧的掩蔽膜到硅衬底上表面，使非常深N型阱离子注入选择窗口扩大，做为一深N型阱离子注入选择窗口；

四.进行第二浓度的N型离子注入及第二强度的N型离子扩散，第二浓度小于第一浓度，第二强度弱于第一强度，形成一个较非常深N型阱浅的深N型阱；

五.进行P型离子注入及扩散，在所述非常深N型阱区域内形成一P型阱；

六.形成浅沟槽隔离；

七.在所述P型阱同所述深N型阱邻接区域上方形成多晶硅栅；

八.在位于所述多晶硅栅一侧的P型阱上形成器件源端及体端，在位于所述多晶硅栅相反一侧的深N型阱上形成器件漏端。

4.根据权利要求3所述的高压隔离N型LDMOS器件的制造方法，其特征在于，第一浓度的N型离子注入是浓度为6E12～1E13个/CM²、能量为1000Kev～2000Kev的磷离子注入，第一强度的N型离子扩散是温度为1100℃～1200℃、时间为5～10小时的磷离子扩散，第二浓度的N型离子注入是浓度为E12～5E12个/CM²、能量为200Kev～400Kev的磷离子注入，第二强度的N型离子扩散是温度为1000℃～1100℃、时间为1～3小时的磷离子扩散。