[发明专利]一种提高共源极运算放大器频率特性的方法

权利要求书

1.一种半导体器件侧墙刻蚀方法，所述方法包括：

对对应于源极端上方、对应于漏极端上方以及栅极上方进行斜角引入反应物等离子体侧墙薄膜沉积，以形成覆盖对应于所述源极端上方、对应于所述漏极端上方以及所述栅极上方的侧墙薄膜，使得对应于所述漏极端上方的栅极侧壁上沉积的栅极侧墙的厚度大于对应于所述源极端上方的栅极侧壁上沉积的栅极侧墙的厚度；

对对应于所述源极端上方、对应于所述漏极端上方以及所述栅极上方的所述侧墙薄膜同时进行刻蚀，以暴露对应于所述漏极端的第一LDD结构用于形成所述漏极端的部分和对应于所述源极端的第二LDD结构用于形成所述源极端的部分；以及

对所述第一LDD结构和所述第二LDD结构的暴露部分分别进行重掺杂和退火工艺，从而分别形成与所述漏极端和所述源极端相对应的重掺杂离子区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述斜角引入反应物等离子体侧墙薄膜沉积的沉积程度可以通过调节反应物等离子体的引入方向朝对应于所述漏极端上方倾斜的角度和沉积时间来控制。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

通过调节反应物等离子体的引入方向朝对应于所述漏极端上方倾斜的角度和沉积时间，使得对应于所述漏极端上方的栅极侧墙增大的厚度等于对应于所述源极端上方的栅极侧墙减小的厚度。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其中，

所述漏极端和所述源极端所对应的两个重掺杂离子区之间的距离保持不变。

5.一种半导体器件，所述器件包括：

衬底，具有一个上表面；

栅极；位于所述衬底的所述上表面的上方；

源极端，位于所述栅极的一侧，并位于所述衬底的所述上表面的下方；

漏极端，位于所述栅极的与所述源极端相对的另一侧，并位于所述衬底的所述上表面的下方；

第一栅极侧墙，附着于所述栅极，并位于所述源极端的靠近所述栅极部分的上方，用于在形成所述源极端时阻止所述第一栅极侧墙下方的重掺杂；以及

第二栅极侧墙，附着于所述栅极，并位于所述漏极端的靠近所述栅极部分的上方，用于在形成所述漏极端时阻止所述第二栅极侧墙下方的重掺杂，

其中所述第二栅极侧墙的厚度大于所述第一栅极侧墙的厚度。