[发明专利]分割线中的材料结构和分离芯片的方法

权利要求书

1.一种用于制造芯片的方法，包括：

在晶片上与所述芯片相邻的切口中形成材料结构；

选择性地移除所述切口中的所述材料结构；以及

对所述晶片进行划片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述材料结构被布置为与所述芯片的长边和/或短边直接相邻。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在移除所述切口中的所述材料结构之前在所述切口中形成测试结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述材料结构包括第一金属，其中所述测试结构包括第二金属，以及其中所述第一金属和所述第二金属是相同的金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地移除所述材料结构包括在所述芯片上形成掩模以及刻蚀所述切口中的所述材料结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述掩模包括光刻胶、氮化硅、氧化硅、氧氮化硅或碳。

7.根据权利要求5所述的方法，其中刻蚀包括施加一系列刻蚀化学物质。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述刻蚀化学物质选自由稀释的氢氟酸（HF）、稀释的氨过氧化物混合物和稀释的磷过氧化物混合物组成的组。

9.一种用于制造半导体芯片的方法，所述方法包括：

在与半导体晶片上的每个半导体芯片的边邻接的分割线中形成金属结构；

选择性地移除所述金属结构；以及

在所述分割线中切割所述半导体晶片，由此使所述半导体芯片单体化。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括在移除所述分割线中的所述材料结构之前在所述分割线中形成金属测试结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其中移除所述金属结构包括在所述半导体芯片上形成掩模以及刻蚀所述金属结构和所述金属测试结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其中刻蚀所述金属结构和所述金属测试结构包括顺序地刻蚀所述金属结构和所述金属测试结构。

13.根据权利要求12所述的方法，其中顺序地刻蚀包括首先施加稀释的HF或稀释的磷过氧化物混合物并且随后施加稀释的氨过氧化物混合物。

14.根据权利要求11所述的方法，其中刻蚀包括施加稀释的HF、稀释的氨过氧化物混合物或者稀释的磷过氧化物混合物中的至少一种。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述掩模包括光刻胶、氮化硅、氧化硅、氧氮化硅或碳。

16.一种半导体晶片，包括：

多个芯片；以及

多个切口，所述切口使所述芯片彼此分离，

其中至少一个切口包括切口框，以及其中所述切口框被布置为与至少一个芯片的边直接相邻。

17.根据权利要求16所述的半导体晶片，其中所述至少一个切口进一步包括测试结构。

18.根据权利要求17所述的半导体晶片，其中所述切口框和所述测试结构包括金属。

19.根据权利要求17所述的半导体晶片，其中所述测试结构包括工艺控制监控器或者可靠性控制监控器。

20.根据权利要求16所述的半导体晶片，其中所述多个芯片包括逻辑芯片或存储器芯片。