[发明专利]分割线中的材料结构和分离芯片的方法

说明书

技术领域

本发明通常涉及半导体器件且涉及半导体器件的制造，并且更具体地涉及切口框（kerf framing）以及切口框的制造。

背景技术

数十或数百种集成电路典型地在单个半导体晶片上制造。半导体晶片包括：芯片或管芯，集成电路位于所述芯片或管芯中；以及切口或分割线，其分离各个芯片。各个芯片通过沿切口锯切晶片进行划片。随后典型地分离地或者在多芯片模块中封装各个芯片。

发明内容

在一个实施例中，公开了一种用于制造芯片的方法。该方法包括在晶片上与芯片相邻的切口中形成材料结构。该方法进一步包括选择性地移除切口中的材料结构并且对晶片进行划片。

在一个实施例中，公开了一种半导体晶片。该半导体晶片包括多个芯片和多个切口。切口使芯片彼此分离。至少一个切口包括切口框。切口框被布置为与至少一个芯片的边直接相邻。

附图说明

为了更完整地理解本发明以及其优点，现在参照结合附图进行的下面描述，在附图中：

图1示出了两个芯片之间的传统切口；

图2示出了当刀片正在分离芯片时的传统切口；

图3示出了具有切口框的实施例的晶片；

图4示出了两个芯片之间的切口的实施例；

图5a示出了切口框的实施例；

图5b示出了切口框的实施例；

图6示出了两个芯片之间的切口的实施例，其中将掩模放置在两个芯片上；

图7示出了移除切口框之后的切口的实施例；

图8示出了移除掩模之后的切口的实施例；以及

图9示出了沿切口的实施例的锯切道（sawing street）。

具体实施方式

下文详细地讨论目前优选的实施例的实现和使用。然而，应认识到，本发明提供了可以在各种各样的具体背景下实施的许多可应用的发明概念。所讨论的具体实施例仅说明了用于实现和使用本发明的具体方式而非限制本发明的范围。

将在具体背景即半导体晶片下关于优选的实施例描述本发明。

图1示出了两个芯片110、120之间的切口100的传统布置。每个芯片110、120包括内部区域111、121和外围区域112、122。内部区域111、121可以包括集成电路或者诸如功率晶体管的单个器件。例如，集成电路可以是诸如微控制器的逻辑器件或者诸如DRAM或非易失性存储器的存储器器件。内部区域111、121可以包括一个或若干个金属化层。外围区域112、122可以包括围绕芯片110、120的止裂阻挡物（crack stop barrier）或者密封环113、123。止裂阻挡物或密封环113、123可以防止断裂传播到芯片110、120的内部区域111、121中。芯片110、120可以通过二氧化硅或者钝化材料进行封装。

切口100是芯片110、120之间的区域。通过沿切口100切割晶片来使芯片110、120单体化（singulate）。切口100的宽度105可以例如是锯切刀片130的宽度107的约2倍。晶片上的切口100可以在x方向上比在y方向上宽。当测试器件或测试结构140位于切口100中时，切口100可以是较宽的。例如，测试结构140可以是工艺控制监控器（pcm）测试结构和/或可靠性控制监控器（rcm）测试结构。pcm/rcm结构可以包括金属和硅部件。在晶片被完全处理之后，通过沿切口切割晶片来对芯片110、120进行划片。锯切刀片130沿切口100移动，从而切割晶片并且分离芯片110、120。在刀片130沿切口移动的同时，可能出现破碎（chipping）并且可能创建断裂。断裂可能朝向芯片110、120传播。密封环或止裂阻挡物113、123被假设用于防止断裂150传播到芯片110、120的内部区域111、121中。然而，密封环113、123可能不阻挡所有断裂150。例如，断裂150可以通过绕过密封环113、123而伸展到内部区域111、121中。断裂150可以通过传播到其中不存在密封环保护的衬底160中而传播到芯片110、120的内部区域111、121中。

沿切口100切割晶片可能产生断裂和破碎。切割pcm和/或rcm测试结构可能产生断裂或破碎。断裂150也可能因破碎而产生。