[发明专利]一种散热增益型堆叠式半导体组件

权利要求书

1.一种散热增益型堆叠式半导体组件，包括：

一散热座，其包括一凸块及一凸缘层，其中(i)该凸块邻接该凸缘层并与该凸缘层一体成形，且自该凸缘层朝第二垂直方向延伸，(ii)该凸缘层自该凸块朝垂直于该第二垂直方向的侧面方向侧向延伸，且(iii)该凸块具有一凹穴，其面朝相反于该第二垂直方向的第一垂直方向，且该凹穴于该第二垂直方向上是由该凸块覆盖的，并于该凸缘层处设有一入口；

一基板，其包括一通孔；

一黏着层，其包括一开口，其中该凸块延伸进入该开口及该通孔，且该黏着层接触该凸块、该凸缘层及该基板，同时该黏着层位于该凸块与该基板之间以及该凸缘层与该基板之间，并自该凸块侧向延伸至该组件的外围边缘；

一半导体元件，其包括一接触垫且设置于该凸块上，并延伸进入该凹穴；

一第一介电层，其自该半导体元件及该凸缘层朝该第一垂直方向延伸，且朝该第一垂直方向延伸于该黏着层及该基板外，并与该基板保持距离且包括一对准该接触垫的第一盲孔；

一第一导线，其自该第一介电层朝该第一垂直方向延伸，并于该第一介电层上侧向延伸，同时朝该第二垂直方向穿过该第一盲孔而延伸至该接触垫，以电性连接该半导体元件；

一第二介电层，其朝该第二垂直方向延伸于该凸块、该黏着层及该基板外，并与该凸缘层及该第一介电层保持距离；

一第二导线，其自该第二介电层朝该第二垂直方向延伸，并于该第二介电层上侧向延伸；以及

一被覆穿孔，其延伸穿过该黏着层及该基板，以提供该第一导线与该第二导线间之电性连接。

2.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该半导体元件是位于该凹穴处并通过设置于该凹穴内的一固晶材料而热连结至该凸块。

3.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该凸块具有一冲压而成的特有不规则厚度。

4.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该凸块包含一邻接该第二介电层的第一弯折角与一邻接该凸缘层的第二弯折角。

5.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该凸块与该黏着层于该第二介电层处共平面。

6.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该凹穴朝该等垂直方向及该等侧面方向延伸跨越该凸块的大部分。

7.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该凸缘层接触该黏着层及该第一介电层，并介于该黏着层与该第一介电层之间。

8.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该黏着层接触并介于该凸缘层与该基板之间以及该第一介电层与该第二介电层之间，同时也接触该被覆穿孔，并与该第一导线及该第二导线保持距离。

9.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该黏着层于邻接该凸缘层处具有第一厚度，而于邻接该凸块处具有不同于该第一厚度的第二厚度。

10.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该第一介电层更包括对准该凸缘层的另一第一盲孔，且该第一导线朝该第二垂直方向延伸穿过该另一第一盲孔，以电性连接该凸缘层。

11.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该第一介电层更包括对准该被覆穿孔的另一第一盲孔，且该第一导线朝该第二垂直方向穿过该另一第一盲孔而延伸至与该凸缘层保持距离、共平面且具有相同厚度的一内部接垫，以电性连接该被覆穿孔。

12.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该第一介电层更延伸进入该凹穴。

13.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该第一导线更延伸穿过该第一盲孔而进入该凹穴。

14.如权利要求1所述的散热增益型堆叠式半导体组件，其中，该第二介电层包括一对准该凸块的第二盲孔，且该第二导线朝该第一垂直方向穿过该第二盲孔而延伸至该凸块，以电性连接该凸块。