[发明专利]具有散热座及增层电路的散热增益型半导体组件制备方法

权利要求书

1.一种散热增益型半导体组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一凸块、一凸缘层、一黏着层及一具有通孔的导电层，其中该凸块定义出面朝第一垂直方向的一凹穴，且在相反于该第一垂直方向的第二垂直方向上覆盖该凹穴，同时该凸块邻接该凸缘层并与该凸缘层一体成形，且自该凸缘层朝该第二垂直方向延伸，而该凸缘层则自该凸块朝垂直于该第一及第二垂直方向的侧面方向侧向延伸；然后

通过该黏着层将该凸缘层及该凸块黏附至该导电层，其中该黏着层介于该凸缘层与该导电层之间及该凸块与该导电层之间，此步骤包括将该凸块对准该通孔；然后

将包含一接触垫的一半导体元件设置于该凸块上且位于该凹穴处；以及

提供一增层电路及一基座，其中该增层电路自该半导体元件及该凸缘层朝该第一垂直方向延伸，且电性连接至该半导体元件，而该基座在该第二垂直方向上覆盖并邻接该凸块，且自该凸块侧向延伸，同时该基座包括邻接该通孔且与该凸块保持距离的该导电层部分。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，提供该凸块的步骤包括：对一金属板进行机械冲压。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将该凸缘层及该凸块黏附至该导电层的步骤包括：

将未固化的该黏着层设置于该凸缘层上，此步骤包括将该凸块对准该黏着层的一开口；

将该导电层设置于该黏着层上，此步骤包括将该凸块对准该导电层的该通孔，其中该黏着层位于该凸缘层与该导电层之间；然后

使该黏着层流入该通孔内介于该凸块与该导电层间的一缺口；以及

固化该黏着层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

使该黏着层流入该缺口的步骤包括：加热熔化该黏着层，并使该凸缘层及该导电层彼此靠合，借此使该凸块在该通孔中朝该第二垂直方向移动，并对该凸缘层与该导电层间的该熔化黏着层施加压力，其中该压力迫使该熔化黏着层朝该第二垂直方向流入该通孔内介于该凸块与该导电层间的该缺口；且

固化该黏着层的步骤包括：加热固化该熔化黏着层，借此将该凸块及该凸缘层机械性黏附至该导电层。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

提供该黏着层的步骤包括提供一未固化环氧树脂的胶片；

使该黏着层流入该缺口的步骤包括熔化该未固化环氧树脂，并挤压该凸缘层与该导电层间的该未固化环氧树脂；且

固化该黏着层的步骤包括固化该未固化环氧树脂。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，使该黏着层流入该缺口的步骤包括：使该黏着层填满该缺口，并迫使该黏着层朝该第二垂直方向超出该凸块及该导电层，以使该黏着层接触该凸块与该导电层面向该第二垂直方向的表面。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，设置该导电层的步骤包括：将该导电层单独设置于该黏着层上，以使该导电层接触该黏着层，而该通孔仅延伸贯穿该导电层。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，设置该导电层的步骤包括：将一层压结构设置于该黏着层上，其中该层压结构包括该导电层及一基板，以使该基板接触并介于该导电层与该黏着层之间，该导电层则与该黏着层保持距离，且该通孔延伸贯穿该导电层及该基板。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，提供该增层电路的步骤包括：

提供一介电层于该半导体元件及该凸缘层上，其中该介电层自该半导体元件及该凸缘层朝该第一垂直方向延伸，且该介电层包括一对准该接触垫的盲孔；以及

提供一导线于该介电层上，其中该导线自该介电层朝该第一垂直方向延伸，并于该介电层上侧向延伸，同时朝该第二垂直方向穿过该盲孔而延伸至该接触垫，以使该半导体元件电性连接至该导线。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，提供该导线的步骤包括：沉积一被覆层于该介电层上，且该被覆层穿过该盲孔而延伸至该接触垫然后再使用一定义该导线的掩模层，以移除该被覆层的选定部位。