[发明专利]分裂栅极存储单元及其操作方法

权利要求书

1.一种分裂栅极存储单元，其特征在于，包括：

半导体衬底，其中形成有第一掺杂区，所述第一掺杂区中形成有第二掺杂区，所述第二掺杂区中形成有第三掺杂区，所述第三掺杂区中形成有第一扩散区和位于所述第一扩散区两侧的第二扩散区；

浮栅，形成于所述第一扩散区和第二扩散区之间的半导体衬底上，所述浮栅的第一侧与所述第一扩散区的部分重叠；

控制栅，形成于所述浮栅的第二侧与所述第二扩散区之间的半导体衬底上，所述控制栅与所述浮栅的第二侧之间形成有绝缘氧化层；

选择栅，形成于所述第一扩散区的半导体衬底上；

其中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型相同，与所述第二掺杂区的掺杂类型相反。

2.如权利要求1所述的分裂栅极存储单元，其特征在于，所述第一掺杂区和第三掺杂区为P型；所述第二掺杂区为N型。

3.如权利要求2所述的分裂栅极存储单元，其特征在于，所述N型的掺杂离子为磷或砷；P型的掺杂离子为硼或铟。

4.如权利要求1所述的分裂栅极存储单元，其特征在于，所述控制栅、浮栅以及选择栅均为多晶硅材料。

5.如权利要求1所述的分裂栅极存储单元，其特征在于，所述绝缘氧化层为氧化硅层、氮化硅层或者两者的复合结构。

6.一种如权利要求1至5任一项所述的分裂栅极存储单元的操作方法，其特征在于，包括：将所述半导体衬底的第一掺杂区接地，对所述控制栅施加第一擦除电压，对所述第三掺杂区、第一扩散区和第二扩散区施加第二擦除电压，以实现对存储单元的擦除，其中，所述第二擦除电压小于零。

7.如权利要求6所述的分裂栅极存储单元的操作方法，其特征在于，所述第一擦除电压范围为5V～9V；所述第二擦除电压的范围为-7V～-5V。

8.如权利要求6所述的分裂栅极存储单元的操作方法，其特征在于，还包括：将所述半导体衬底的第一掺杂区、第三掺杂区以及第一扩散区接地，对所述控制栅施加第一读取电压，对第二扩散区施加第二读取电压，以实现对存储单元的读取。

9.如权利要求8所述的分裂栅极存储单元的操作方法，其特征在于，所述第一读取电压范围为1.8V～2V；所述第二读取电压范围为0.8V～1V。

10.如权利要求6所述的分裂栅极存储单元的操作方法，其特征在于，还包括：将所述半导体衬底的第一掺杂区接地，对控制栅施加第一写入电压，对所述第三掺杂区和第二扩散区施加第二写入电压，对所述第一扩散区施加第三写入电压，以实现对存储单元的写入。

11.如权利要求10所述的分裂栅极存储单元的操作方法，其特征在于，所述第一写入电压范围为-1V～-2V；所述第二写入电压范围为-2V～-3V；第三写入电压范围为5V～7V。