[发明专利]具有空气侧墙的CMOS 制作方法有效
| 申请号： | 201110379535.0 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376647A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 空气 cmos 制作方法 | ||
1.一种具有空气侧墙的CMOS制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一硅晶片，所述硅晶片包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区形成有P+源/漏区和NMOS栅极，所述PMOS区形成有N+源/漏区和PMOS栅极，所述NMOS栅极和PMOS栅极两侧都具有侧墙；
在上述结构上沉积第一介质层；
化学机械研磨第一介质层，直至去除所述侧墙顶部的一部分，在侧墙顶部形成释放口；
湿法刻蚀去除NMOS栅极和PMOS栅极两侧的侧墙；
在上述结构上沉积第二介质层；
采用光刻、刻蚀工艺，形成分别连通至N+源/漏区、P+源/漏区的接触孔；
在接触孔内填充金属形成互连。
2.根据权利要求1所述的具有空气侧墙的CMOS制作方法，其特征在于：所述侧墙的材料为氮化硅或二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的具有空气侧墙的CMOS制作方法，其特征在于：所述第一介质层为二氧化硅或低介电常数薄膜，其厚度为3000-9000埃。
4.根据权利要求1所述的具有空气侧墙的CMOS制作方法，其特征在于：所述第二介质层为二氧化硅或低介电常数薄膜，其厚度为3000-6000埃。
5.根据权利要求1所述的具有空气侧墙的CMOS制作方法，其特征在于：所述释放口的宽度小于10nm。
6.根据权利要求1所述的具有空气侧墙的CMOS制作方法，其特征在于：所述湿法刻蚀去除NMOS栅极和PMOS栅极两侧的侧墙采用磷酸。
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