[发明专利]浸润液、晶圆腐蚀前的浸润方法和二氧化硅湿法腐蚀方法有效
申请号: | 201110379979.4 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN103131421A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 朱国伟;宋矿宝 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00;H01L21/306 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐小会;高为 |
地址: | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浸润 腐蚀 方法 二氧化硅 湿法 | ||
1.一种浸润液,其特征在于,所述浸润液由DRIWEL润湿原液和去离子水组成。
2.如权利要求1所述的浸润液,其特征在于,DRIWEL润湿原液和去离子水的体积比为1:15-1:25,优选为1:20。
3.DRIWEL润湿原液在制备处理晶圆的浸润液中的用途。
4.一种晶圆腐蚀前的浸润方法,其特征在于,所述方法包括步骤:
(a) 将晶圆浸没在权利要求1或2所述的浸润液中第一时间段;
(b) 从浸润液中提出晶圆;
(c) 第二时间段之后,将晶圆浸没在浸润液中第三时间段;
(d) 从浸润液中提出晶圆。
5.如权利要求4所述的浸润方法,其特征在于,所述第一时间段为1-5秒,优选为3秒。
6.如权利要求4所述的浸润方法,其特征在于,所述第二时间段为1-5秒,优选为1-2秒,更优选为2秒。
7.如权利要求4所述的浸润方法,其特征在于,所述第三时间段为1-5秒,优选为1-2秒,更优选为2秒。
8.如权利要求4所述的浸润方法,其特征在于,重复执行步骤(b)和步骤(c)二次至八次,优选为五次。
9.一种二氧化硅湿法腐蚀方法,其特征在于,所述方法包括:
利用如权利要求4-8之一所述的方法对晶圆进行浸润处理;以及
对处理后的晶圆进行湿法腐蚀。
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