[发明专利]浸润液、晶圆腐蚀前的浸润方法和二氧化硅湿法腐蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及湿法二氧化硅腐蚀工艺中所使用的浸润液和浸润方法。

背景技术

在半导体制造过程的湿法二氧化硅腐蚀中，由于光刻胶的疏水性，晶圆直接腐蚀容易产生待腐蚀窗口局部腐蚀不白、整个窗口或局部的二氧化硅腐蚀不动的现象，通常称之为染色异常。

二氧化硅湿法腐蚀后的晶圆异常率高，腐蚀不白或者腐蚀不动染色问题没有得到有效解决，则追加腐蚀或重新套刻，腐蚀的返工率高，造成生产成本上升以及流通时间延长，更甚至有的产品晶圆因严重腐蚀不动而报废或影响产品性能和成品率。

为了改善二氧化硅腐蚀效果，传统的做法是湿法腐蚀前将晶圆在水加无水乙醇的浸润液中进行浸润。该方法只适合腐蚀线条较宽的负胶工艺。随着半导体加工线条越来越细及正胶工艺的使用，必须寻找一种全新的浸润方法来同时满足正、负胶及细线条产品的腐蚀工艺。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种浸润液和浸润方法，用于在湿法腐蚀前对晶圆进行浸润。

本发明提供了以下技术方案：

1、一种浸润液，其特征在于，所述浸润液由DRIWEL润湿原液和去离子水组成。DRIWEL润湿原液是富士胶卷公司生产的市售产品。

2、如技术方案1所述的浸润液，其特征在于，DRIWEL润湿原液和去离子水的体积比为1:15-1:25，优选为1:20。

3、DRIWEL润湿原液在制备处理晶圆的浸润液中的用途。

4、一种浸润方法，其特征在于，所述方法包括步骤：

(a) 将晶圆浸没在技术方案1或2所述的浸润液中第一时间段；

(b) 从浸润液中提出晶圆；

(c) 第二时间段之后，将晶圆浸没在浸润液中第三时间段；

(d) 从浸润液中提出晶圆。

5、如技术方案4所述的浸润方法，其特征在于，所述第一时间段为1-5秒，优选为3秒。

6、如技术方案4-5之一所述的浸润方法，其特征在于，所述第二时间段为1-5秒，优选为1-2秒，更优选为2秒。

7、如技术方案4-6之一所述的浸润方法，其特征在于，所述第三时间段为1-5秒，优选为1-2秒，更优选为2秒。

8、如技术方案4-7之一所述的浸润方法，其特征在于，重复执行步骤(b)和步骤(c)二次至八次，优选为五次。如此，使得晶圆表面得到充分浸润。

9、一种二氧化硅湿法腐蚀方法，其特征在于，所述方法包括：

利用如技术方案4-8之一所述的方法对晶圆进行浸润处理；以及

对处理后的晶圆进行湿法腐蚀。

不同于现有技术的晶圆在二氧化硅腐蚀前的浸润处理只适合负性光刻胶且光刻线条较宽的产品晶圆，而本发明的晶圆腐蚀前的浸润处理适合所有采用正性光刻胶和负性光刻胶的产品晶圆。

在湿法腐蚀前利用本发明对晶圆进行浸润，可以有效地降低晶圆腐蚀后的染色异常，减少腐蚀异常率和晶圆报废率，降低生产成本，加快了生产流通。

具体实施方式

下面将通过实施例进一步说明本发明。在以下实施例中，除非另有说明，否则在常温和常压下操作。所使用的水是去离子水。DRIWEL润湿原液购自富士胶卷公司。另外，鉴于二氧化硅湿法腐蚀工艺为本领域的公知常识，本发明中对此不再赘述。

实施例1

将DRIWEL润湿原液和水按1:15的体积比的比例混合配置而成浸润液。按以下步骤浸润晶圆：

(a) 将晶圆浸没在配置好的浸润液中1秒钟；

(b) 从浸润液中提出晶圆；

(c) 1秒钟之后，将晶圆浸没在浸润液中1秒钟；

(d) 再次执行步骤b、步骤c；

(e) 从浸润液中提出晶圆。

之后，对处理后的晶圆进行湿法腐蚀。

与未经过浸润而直接进行湿法二氧化硅腐蚀的晶圆相比，染色异常减少了（71%）。

实施例2

将DRIWEL润湿原液和水按1:20的体积比的比例混合配置而成浸润液。按以下步骤浸润晶圆：

(a) 将晶圆浸没在配置好的浸润液中3秒钟；

(b) 从浸润液中提出晶圆；

(c) 2秒钟之后，将晶圆浸没在浸润液中1秒钟；

(d) 再次执行步骤b、步骤c四次；

(e) 从浸润液中提出晶圆。

之后，对处理后的晶圆进行湿法腐蚀。

与未经过浸润而直接进行湿法二氧化硅腐蚀的晶圆相比，染色异常减少了80%。

实施例3