[发明专利]MnO2/石墨纳米片复合材料及其制备和应用无效

专利信息
申请号: 201110380591.6 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102496416A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 胡中爱;张亚军;张海英;张富海;梁鹏举;杨玉英;张子瑜;吴红英 申请(专利权)人: 西北师范大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/04;H01G9/042
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 张英荷
地址: 730070 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: mno sub 石墨 纳米 复合材料 及其 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,是先将经清洗处理的石墨棒进行电化学剥离处理,得到石墨纳米片基底表面;再利用高压静电吸附的方式将高锰酸根吸附在石墨纳米片表面,然后采用还原剂还原高锰酸根,使MnO2沉积在石墨纳米片基底上,得到MnO2/石墨纳米片复合材料。

2.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述石墨棒的清洗处理工艺为:将石墨棒进行打磨处理使其表面比较平整光滑,用水反复超声清洗后置于4~8 mol/L的HCl溶液中刻蚀20 ~60min;刻蚀完毕后依次用水、丙酮溶液超声清洗,真空干燥。

3.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述石墨棒的电化学剥离处理工艺为:将经清洗的石墨棒置于0.01~0.05mol/L阴离子表面活性剂的水溶液中,控制电压在2~9V,电处理15~24h,洗涤,得到石墨纳米片基底表面。

4.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述高压静电吸附工艺为:将KMnO4与KOH的混合溶液移于石墨纳米片基底表面,利用100 ~ 400V的高压电,采用静电吸附的方式将MnO4-吸附在石墨纳米片表面;所述KMnO4与KOH的混合溶液的用量为0.2~1.6L/m2

5.如权利要求4所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述混合溶液中,KMnO4的浓度为1~4mM,KOH的浓度为2~6mM。

6.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述还原高锰酸根的工艺为:在100 ~ 400V的高压电条件下,采用易挥发的还原剂,利用其自挥发性还原MnO4-,使MnO2沉积在石墨纳米片基底表面。

7.如权利要求6所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述易挥发的还原剂为乙醇、乙腈、水合肼、氨水。

8.如权利要求1所述方法制备的MnO2/石墨纳米片复合材料。

9.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料,其特征在于:所述还原MnO4-的时间为20~40min,MnO2沉积在石墨纳米片基底表面的厚度为3~6nm。

10.如权利要求1制备的MnO2/石墨纳米片复合材料用作超级电容器电极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北师范大学,未经西北师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110380591.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top