[发明专利]MnO2/石墨纳米片复合材料及其制备和应用无效
申请号: | 201110380591.6 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102496416A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 胡中爱;张亚军;张海英;张富海;梁鹏举;杨玉英;张子瑜;吴红英 | 申请(专利权)人: | 西北师范大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B1/04;H01G9/042 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 张英荷 |
地址: | 730070 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mno sub 石墨 纳米 复合材料 及其 制备 应用 | ||
1.一种MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,是先将经清洗处理的石墨棒进行电化学剥离处理,得到石墨纳米片基底表面;再利用高压静电吸附的方式将高锰酸根吸附在石墨纳米片表面,然后采用还原剂还原高锰酸根,使MnO2沉积在石墨纳米片基底上,得到MnO2/石墨纳米片复合材料。
2.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述石墨棒的清洗处理工艺为:将石墨棒进行打磨处理使其表面比较平整光滑,用水反复超声清洗后置于4~8 mol/L的HCl溶液中刻蚀20 ~60min;刻蚀完毕后依次用水、丙酮溶液超声清洗,真空干燥。
3.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述石墨棒的电化学剥离处理工艺为:将经清洗的石墨棒置于0.01~0.05mol/L阴离子表面活性剂的水溶液中,控制电压在2~9V,电处理15~24h,洗涤,得到石墨纳米片基底表面。
4.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述高压静电吸附工艺为:将KMnO4与KOH的混合溶液移于石墨纳米片基底表面,利用100 ~ 400V的高压电,采用静电吸附的方式将MnO4-吸附在石墨纳米片表面;所述KMnO4与KOH的混合溶液的用量为0.2~1.6L/m2。
5.如权利要求4所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述混合溶液中,KMnO4的浓度为1~4mM,KOH的浓度为2~6mM。
6.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述还原高锰酸根的工艺为:在100 ~ 400V的高压电条件下,采用易挥发的还原剂,利用其自挥发性还原MnO4-,使MnO2沉积在石墨纳米片基底表面。
7.如权利要求6所述MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,其特征在于:所述易挥发的还原剂为乙醇、乙腈、水合肼、氨水。
8.如权利要求1所述方法制备的MnO2/石墨纳米片复合材料。
9.如权利要求1所述MnO2/石墨纳米片复合材料,其特征在于:所述还原MnO4-的时间为20~40min,MnO2沉积在石墨纳米片基底表面的厚度为3~6nm。
10.如权利要求1制备的MnO2/石墨纳米片复合材料用作超级电容器电极。
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