[发明专利]MnO2/石墨纳米片复合材料及其制备和应用无效
申请号: | 201110380591.6 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102496416A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 胡中爱;张亚军;张海英;张富海;梁鹏举;杨玉英;张子瑜;吴红英 | 申请(专利权)人: | 西北师范大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B1/04;H01G9/042 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 张英荷 |
地址: | 730070 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mno sub 石墨 纳米 复合材料 及其 制备 应用 | ||
技术领域
本发明属于复合材料技术领域,涉及一种MnO2/石墨纳米片复合材料及其制备方法;本发明同时还涉及该MnO2/石墨纳米片复合材料作为超级电容器电极的应用。
背景技术
能源和环境问题是目前人类亟需解决的两大问题。在化石能源日渐枯竭、环境污染日益严重和全球气候变暖的今天,寻求替代传统化石能源的可再生绿色能源、谋求人与环境的和谐显得尤为迫切。随着电动汽车、混合动力电动车的逐步市场化,以及各种便携式用电装置的快速发展,均需要高效、实用、“绿色”(零污染、低污染) 的能量储运体系。对于新型的“绿色”储能器件,在关切其“绿色”的同时,高功率密度、高能量密度则是其是否可以真正替代传统能量储运体系的重要指标。超级电容器是目前重要的“绿色”储能装置。超级电容器按贮能机理可以分为双电层电容器(Electrical Double Layer Capacitance)和法拉第赝电容器(Faradic Pseudocapacitance)。双电层电容器是建立在双电层理论基础之上的,通过电极/电解液界面的电子或离子的定向排列造成电荷的对峙所产生的。根据电容量的公式,双电层电容器与电极表面积成正比,与双电层厚度成反比,在强电解质的浓溶液中,双电层厚度的数量级在10–10 nm,通过适当选择具有高比表面积的电极材料,可以得到很大的电容量。碳材料具有理想的物理及化学性能(如:较大比表面积等),是双电层电容器的理想材料。法拉第赝电容也叫法拉第准电容,是在电极表面或体相中的二维或准二维空间上,电活性物质进行欠电位沉积,发生高度可逆的化学吸附或氧化还原反应,产生的与电极充电电位有关的电容。在电极的比表面积相同的情况下,法拉第赝电容器的比电容是双电层电容器的10~100倍,其电极材料主要为一些金属氧化物和导电聚合物。复合电极材料作为超级电容器电极材料,不仅能够实现材料性能和成本的合理利用,并且具有单一电极材料所不具备的优良性能,应用前景十分广泛。其中廉价的MnO2电极材料由于其具有高的比电容,制备原料来源广泛以及环境良好等优点成为了研究的热点,因此可以引入高容量的MnO2电极材料来提高超级电容器复合材料的容量。
发明内容
本发明的目的是提供了一种MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法。
本发明的另一目的是提供该MnO2/石墨纳米片复合材料作为超级电容器电极的应用。
本发明MnO2/石墨纳米片复合材料的制备,是先将经清洗处理的石墨棒进行电化学剥离处理,得到石墨纳米片基底表面;再利用高压静电吸附的方式将高锰酸根吸附在石墨纳米片表面,然后采用还原剂还原高锰酸根,使MnO2沉积在石墨纳米片基底上,得到MnO2/石墨纳米片复合材料。
所述石墨棒的清洗工艺为:将石墨棒进行打磨处理使其表面比较平整光滑,用高纯水反复超声清洗后置于4~8 mol/L的HCl溶液中刻蚀20~60min;刻蚀完毕后用高纯水超声清洗以除去石墨中的无机物;然后用水、丙酮溶液依次超声清洗以除去石墨中的有机物质,真空干燥,以除去残留的丙酮。
所述石墨棒为天然石墨棒,人工石墨棒,或高温裂解石墨棒。
所述石墨棒的电化学剥离处理工艺为:将经清洗的石墨棒置于0.01~0.05mol/L阴离子表面活性剂的水溶液中,控制电压在2~9V,电剥离处理15~24h,洗涤,得到石墨纳米片基底表面。阴离子表面活性剂可采用十二烷基苯磺酸钠、硬脂酸、聚苯乙烯磺酸钠或十六烷基苯磺酸钠等。
所述高压静电吸附工艺为:将KMnO4与KOH的混合溶液移于石墨纳米片基底表面,利用100 ~ 400V的高压电,采用静电吸附的方式将MnO4-吸附在石墨纳米片表面。混合溶液中,KMnO4的浓度为1~4mM,KOH的浓度为2~6mM,混合溶液的用量为0.2~1.6L/m2。
所述还原高锰酸根的工艺为:在100 ~ 400V的高压电条件下,采用易挥发的还原剂,利用其自挥发性还原MnO4-,生成MnO2沉积在石墨纳米片基底表面。所述易挥发的还原剂为乙醇、乙腈、水合肼、氨水;一般还原时间控制在20~40min,MnO2在石墨纳米片基底上沉积的厚度为3~6 nm。
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