[发明专利]可异地加工四银低辐射镀膜玻璃及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110381671.3 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102501449A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 林嘉宏 申请(专利权)人: 林嘉宏
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215321 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 异地 加工 四银低 辐射 镀膜 玻璃 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的膜层,其特征在于,所述膜层自玻璃基片向外依次包括:基层电介质层、第一电介质组合层、第一阻挡保护层、第一银层、第二阻挡保护层、第一间隔电介质组合层、第三阻挡保护层、第二银层、第四阻挡保护层、第二间隔电介质组合层、第五阻挡保护层、第三银层、第六阻挡保护层、第三间隔电介质组合层、第七阻挡保护层、第四银层、第八阻挡保护层、第二电介质组合层。

2.根据权利要求1所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述基层电介质层为硅基化合物。

3.根据权利要求2所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述基层电介质层为Si3N4、SiO2、SiOxNy中的一种。

4.根据权利要求1所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一电介质组合层、第二电介质组合层、第一间隔电介质组合层、第二间隔电介质组合层、第三间隔电介质组合层由SSTOx、CrNx、CdO、MnO2、InSbO、TxO、SnO2、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2、AZO、Si3N4、SiO2、SiOxNy、BiO2、Al2O3、Nb2O5、Ta2O5、In2O3、MoO3材料膜层中的一种或几种组成。

5.根据权利要求1所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八阻挡保护层为金属、金属氧化物或金属氮化物材料的膜层构成。

6.根据权利要求5所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八阻挡保护层为Ti、NiCr、Ni、Cr、Nb、Zr、NiCrOx、NiCrNx、CrNx材料膜层中的一种。

7.一种可异地加工四银低辐射镀膜玻璃的制造方法,采用真空磁控溅射镀膜的方式,其特征在于,包括以下步骤:

(1)、将玻璃基片清洗干燥后,将其置于真空溅射区,进行预真空过渡;

(2)、在所述玻璃基片上自下向上依次沉积形成基层电介质层、第一电介质组合层、第一阻挡保护层、第一银层、第二阻挡保护层、第一间隔电介质组合层、第三阻挡保护层、第二层银层、第四阻挡保护层、第二间隔电介质组合层、第五阻挡保护层、第三层银层、第六阻挡保护层、第三间隔电介质组合层、第七阻挡保护层、第四银层、八阻挡保护层、第二电介质组合层;

(3)、形成产品。

8.根据权利要求7所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃的制造方法,其特征在于,所述基层电介质层、第一和第二电介质组合层、第一至第三间隔层电介质组合层均采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式沉积;所述第一至第四银层、第一至第八阻挡保护层均采用平面阴极、直流溅射的方式沉积。

9.根据权利要求8所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃的制造方法,其特征在于,所述双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式是在氩氧、氩氮或氩氧氮氛围中进行;所述平面阴极、直流溅射的方式是在氩氧、氩氮或纯氩氛围中进行。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于林嘉宏,未经林嘉宏许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110381671.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top