[发明专利]可异地加工四银低辐射镀膜玻璃及其制造方法无效
申请号: | 201110381671.3 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102501449A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 林嘉宏 | 申请(专利权)人: | 林嘉宏 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215321 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异地 加工 四银低 辐射 镀膜 玻璃 及其 制造 方法 | ||
1.一种可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的膜层,其特征在于,所述膜层自玻璃基片向外依次包括:基层电介质层、第一电介质组合层、第一阻挡保护层、第一银层、第二阻挡保护层、第一间隔电介质组合层、第三阻挡保护层、第二银层、第四阻挡保护层、第二间隔电介质组合层、第五阻挡保护层、第三银层、第六阻挡保护层、第三间隔电介质组合层、第七阻挡保护层、第四银层、第八阻挡保护层、第二电介质组合层。
2.根据权利要求1所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述基层电介质层为硅基化合物。
3.根据权利要求2所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述基层电介质层为Si3N4、SiO2、SiOxNy中的一种。
4.根据权利要求1所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一电介质组合层、第二电介质组合层、第一间隔电介质组合层、第二间隔电介质组合层、第三间隔电介质组合层由SSTOx、CrNx、CdO、MnO2、InSbO、TxO、SnO2、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2、AZO、Si3N4、SiO2、SiOxNy、BiO2、Al2O3、Nb2O5、Ta2O5、In2O3、MoO3材料膜层中的一种或几种组成。
5.根据权利要求1所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八阻挡保护层为金属、金属氧化物或金属氮化物材料的膜层构成。
6.根据权利要求5所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八阻挡保护层为Ti、NiCr、Ni、Cr、Nb、Zr、NiCrOx、NiCrNx、CrNx材料膜层中的一种。
7.一种可异地加工四银低辐射镀膜玻璃的制造方法,采用真空磁控溅射镀膜的方式,其特征在于,包括以下步骤:
(1)、将玻璃基片清洗干燥后,将其置于真空溅射区,进行预真空过渡;
(2)、在所述玻璃基片上自下向上依次沉积形成基层电介质层、第一电介质组合层、第一阻挡保护层、第一银层、第二阻挡保护层、第一间隔电介质组合层、第三阻挡保护层、第二层银层、第四阻挡保护层、第二间隔电介质组合层、第五阻挡保护层、第三层银层、第六阻挡保护层、第三间隔电介质组合层、第七阻挡保护层、第四银层、八阻挡保护层、第二电介质组合层;
(3)、形成产品。
8.根据权利要求7所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃的制造方法,其特征在于,所述基层电介质层、第一和第二电介质组合层、第一至第三间隔层电介质组合层均采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式沉积;所述第一至第四银层、第一至第八阻挡保护层均采用平面阴极、直流溅射的方式沉积。
9.根据权利要求8所述的可异地加工四银低辐射镀膜玻璃的制造方法,其特征在于,所述双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式是在氩氧、氩氮或氩氧氮氛围中进行;所述平面阴极、直流溅射的方式是在氩氧、氩氮或纯氩氛围中进行。
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