[发明专利]改善电流传输堵塞的LED芯片结构

权利要求书

1.一种改善电流传输堵塞的LED芯片结构，包括衬底(1)及位于所述衬 底(1)上方的P电极(6)与N电极(9)；所述N电极(9)与衬底(1)上方 的N型氮化镓层(2)电连接；其特征是：所述N型氮化镓层(2)内设有改善 传输槽(8)，所述改善传输槽(8)在N型氮化镓层(2)内从N型氮化镓层(2) 表面向衬底(1)方向延伸，所述N电极(9)填充于改善传输槽(8)内，并覆 盖于N型氮化镓层(2)对应的表面。

2.根据权利要求1所述的改善电流传输堵塞的LED芯片结构，其特征是： 所述改善传输槽(8)在N型氮化镓层(2)内的深度为1～2μm。

3.根据权利要求1所述的改善电流传输堵塞的LED芯片结构，其特征是： 所述N型氮化镓层(2)覆盖于衬底(1)上，所述N型氮化镓层(2)上设有 量子阱(3)，所述量子阱(3)上设有P型氮化镓层(4)，所述P型氮化镓层(4) 上设有透明导电层(5)，所述透明导电层(5)上设有钝化层(7)，所述钝化层 (7)包覆透明导电层(5)及位于所述透明导电层(5)下方的P型氮化镓层(4) 与量子阱(3)；所述P电极(6)穿过钝化层(7)与透明导电层(5)电连接。

4.根据权利要求3所述的改善电流传输堵塞的LED芯片结构，其特征是： 所述N型氮化镓层(2)对应于与N电极(9)相连的端部设有连接台阶(10)。

5.根据权利要求1所述的改善电流传输堵塞的LED芯片结构，其特征是： 所述衬底(1)为蓝宝石基板。

6.根据权利要求3所述的改善电流传输堵塞的LED芯片结构，其特征是： 所述钝化层(7)的材料包括二氧化硅。