[发明专利]改善电流传输堵塞的LED芯片结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED芯片结构，尤其是一种改善电流传输堵塞的LED芯片 结构，属于LED芯片的技术领域。

背景技术

LED(Lighting Emitting Diode)即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。 当前节能环保是全球重要问题，低碳生活逐渐深入人心。在照明领域，功率LED 发光产品的应用正吸引着世人的目光，二十一世纪将进入以LED为代表的新型 照明光源时代。LED具有节能、环保、寿命长、结构牢固，响应时间快等特点， 可以广泛应用于各种普通照明、背光源、显示、指示和城市夜景等领域。LED 光源制造流程分为芯片制备和封装。其中，功率LED芯片一般制备工艺为：首 先在衬底上通过MOCVD外延炉制作氮化镓基的外延片，接下来对LED的PN 结的两个电极进行加工，并对LED毛片进行减薄，划片；然后对毛片进行分选 和测试。

目前，传统LED芯片中PN中对应的两个电极通过蒸镀形成，当电流同侧 双电极的芯片两个电极间传输时芯片容易产生电流堵塞，如图1所示。图1中 的曲线表示相应的电势线，当电势线从透明导电层指向N电极与N型氮化镓层 的结合部，当电势线聚集很多时，即容易产生堵塞，从而使得LED芯片产生相 应的热量，对应区域的LED芯片发光效率低，影响LED芯片的使用。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种改善电流传输堵塞 的LED芯片结构，其结构简单紧凑，提高了LED芯片的发光效率，与现有加工 工艺相兼容，延长了LED芯片使用寿命，安全可靠。

按照本发明提供的技术方案，所述改善电流传输堵塞的LED芯片结构，包 括衬底及位于所述衬底上方的P电极与N电极；所述N电极与衬底上方的N型 氮化镓层电连接；所述N型氮化镓层内设有改善传输槽，所述改善传输槽在N 型氮化镓层内从N型氮化镓层表面向衬底方向延伸，所述N电极填充于改善传 输槽内，并覆盖于N型氮化镓层对应的表面。

所述改善传输槽在N型氮化镓层内的深度为1～2μm。所述N型氮化镓层覆 盖于衬底上，所述N型氮化镓层上设有量子阱，所述量子阱上设有P型氮化镓 层，所述P型氮化镓层上设有透明导电层，所述透明导电层上设有钝化层，所 述钝化层包覆透明导电层及位于所述透明导电层下方的P型氮化镓层与量子阱； 所述P电极穿过钝化层与透明导电层电连接。

所述N型氮化镓层对应于与N电极相连的端部设有连接台阶。所述衬底为 蓝宝石基板。所述钝化层的材料包括二氧化硅。

本发明的优点：衬底上设置N型氮化镓层，N型氮化镓层上设置P型氮化 镓层，N型氮化镓层与N电极等电位连接；P型氮化镓层通过透明导电层与P 电极等电位连接，从而能够构成LED芯片的两个电极；N型氮化镓层内设置改 善传输槽，N电极填充于改善传输槽内并覆盖相应N型氮化镓层表面；通过位 于改善传输槽内的N电极能分担相应的电势线，避免电势线聚集在N电极与N 型氮化镓层的结合部，能扩大电势线的接触面积，避免电势线过渡聚集时产生 电流堵塞，降低电流堵塞产生的发热现象，同时，能够提高LED芯片的出光效 率；结构简单紧凑，与现有加工工艺相兼容，延长了LED芯片使用寿命，安全 可靠。

附图说明

图1为现有LED芯片结构的示意图。

图2为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。

如图2所示：本发明包括衬底1、N型氮化镓层2、量子阱3、P型氮化镓 层4、透明导电层5、P电极6、钝化层7、改善传输槽8、N电极9及连接台阶 10。