[发明专利]一种微加热装置及形成方法

权利要求书

1.一种微加热装置，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和与正面相对的背面，位于所述半导体衬底正面上的待检测器件；

贯穿所述半导体衬底的导电沟槽，所述导电沟槽围绕所述待检测器件设置，所述导电沟槽用于为待检测器件加热。

2.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述导电沟槽的图形为同心环，所述同心环至少包括一个环，所述待检测器件位于所述同心环导电沟槽的中心。

3.如权利要求2所述的微加热装置，其特征在于，还包括，位于所述半导体衬底正面的金属互连层，位于所述半导体衬底背面的再分配层，所述每一个环状导电沟槽的一端与金属互连层电学连接，所述每一个环状导电沟槽的另一端与再分配层电学连接。

4.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述导电沟槽的图形为螺旋形，所述待检测器件位于所述螺旋形导电沟槽的中心。

5.如权利要求4所述的微加热装置，其特征在于，还包括，位于所述半导体衬底正面的金属互连层，位于所述半导体衬底背面的再分配层，所述螺旋状导电沟槽的一端与金属互连层电学连接，所述螺旋状导电沟槽的另一端与再分配层电学连接。

6.如权利要求3或5所述的微加热装置，其特征在于，所述金属互连层和再分配层分别与外部控制电路电学连接。

7.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述待检测器件上连接有导电插塞和导电互连层，利用所述导电插塞和导电互连层使得所述待检测器件与外部检测电路电学连接。

8.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述导电沟槽内的导电材料为多晶硅、钨或铜。

9.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述待检测器件为MOS晶体管、存储器件、发光器件、电容、电感、电阻、导电互连线或集成电路。

10.一种微加热装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和与正面相对的背面，在所述半导体衬底正面上形成待检测器件，在所述半导体衬底内形成导电沟槽，所述导电沟槽围绕所述待检测器件设置；

在所述半导体衬底正面上形成金属互连层，所述金属互连层与导电沟槽电学连接；

对所述半导体衬底背面进行研磨，直到暴露出所述导电沟槽；

在所述半导体衬底背面形成再分配层，所述再分配层与暴露出的导电沟槽电学连接。

11.如权利要求10所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述导电沟槽的具体形成方法包括：对所述半导体衬底正面进行刻蚀形成具有一定图形的沟槽，在所述沟槽侧壁和底部表面形成绝缘层，在所述绝缘层表面的沟槽内填充满导电材料，形成导电沟槽。

12.如权利要求11所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述导电材料为多晶硅、钨或铜。

13.如权利要求10所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述导电沟槽的图形为同心环，所述同心环至少包括一个环，所述待检测器件位于所述同心环导电沟槽的中心。

14.如权利要求10所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述导电沟槽的图形为螺旋形，所述待检测器件位于所述螺旋形导电沟槽的中心。

15.如权利要求10所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述待检测器件为MOS晶体管、存储器件、发光器件、电容、电感、电阻、导电互连线或集成电路。

16.如权利要求10所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，还包括，在形成待检测器件后，在所述待检测器件上形成导电插塞和导电互连层，使得所述待检测器件与外部检测电路电学连接。

17.如权利要求16所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述导电互连层与金属互连层在同一工艺中形成。