[发明专利]MOS器件的形成方法及其形成的MOS器件

权利要求书

1.一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括三个区域，其中，第一区域用于形成栅极区，与第一区域相邻的第二区域、第三区域分别用于形成源区与漏区；

利用外延法使所述第一区域的半导体衬底向外延伸生长出外延层；

利用各向同性刻蚀法刻蚀所述外延层形成沟道区；

利用外延法在第二区域、第三区域生长硅-锗，分别形成硅-锗源区结构、漏区结构；

对所述硅-锗源区结构、漏区结构进行掺杂。

2.根据权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，对所述硅-锗源区结构、漏区结构进行掺杂步骤包括轻掺杂与重掺杂，分别形成轻掺杂区与重掺杂区。

3.根据权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，利用外延法生长出外延层步骤包括：

在所述半导体衬底上依次形成第一介电层与第二介电层，所述第一介电层与所述第二介电层材质不同；

在第二介电层上定义出栅极区域，去除所述栅极区域的所述第一介电层与第二介电层，形成第一开口；

利用外延法在所述第一开口内生长所述外延层，所述外延层未填充满所述第一开口；

淀积第三介电层并去除所述第一开口外的第三介电层，所述第三介电层与所述第二介电层材质不同；

去除所述第二区域与第三区域的第二介电层。

4.根据权利要求3所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，利用各向同性刻蚀法刻蚀所述外延层形成沟道区步骤后，还进行去除第二区域、第三区域的第一介电层步骤，之后进行所述利用外延法在第二区域、第三区域生长硅-锗，分别形成硅-锗源区结构、漏区结构的步骤。

5.根据权利要求4所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，利用外延法在第二区域、第三区域生长硅-锗，分别形成硅-锗源区结构、漏区结构步骤后，对所述硅-锗源区结构、漏区结构进行掺杂步骤前，还进行：在所述硅-锗源区结构、漏区结构及所述第三介电层上形成第四介电层并进行抛光至暴露出所述第三介电层；所述第四介电层与所述第三介电层材质不同；

去除所述第三介电层以形成第二开口；

淀积栅极绝缘材质及栅极材质以形成栅极绝缘层与栅极层，并去除第二开口外的栅极绝缘材质及栅极材质；

去除所述硅-锗源区结构、漏区结构上的所述第四介电层。

6.根据权利要求5所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，对所述硅-锗源区结构、漏区结构进行掺杂步骤包括：

对所述硅-锗源区结构、漏区结构进行轻掺杂；

在所述栅极绝缘层与栅极层的两侧边形成侧墙；

对所述硅-锗源区结构、漏区结构进行重掺杂，使得所述侧墙下形成轻掺杂区，剩余的所述硅-锗源区结构、漏区结构里形成重掺杂区。

7.根据权利要求6所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，去除所述硅-锗源区结构、漏区结构上的所述第四介电层步骤后，对所述硅-锗源区结构、漏区结构进行轻掺杂前，还进行在所述栅极绝缘层与栅极层的两侧边形成侧壁步骤。

8.根据权利要求2所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述MOS器件为P型MOS器件，所述轻掺杂与所述重掺杂步骤中，都为P型离子注入。

9.根据权利要求5所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一介电层材质为二氧化硅，所述第二介电层材质为氮化硅，所述第三介电层材质也为二氧化硅，所述第四介电层材质为氮化硅，利用磷酸进行所述去除所述栅极区域两边的第二区域、第三区域的第二介电层的步骤。

10.根据权利要求9所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，利用HF酸进行所述去除第二区域、第三区域的第一介电层的步骤。

11.根据权利要求9或10所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，利用HF酸进行所述去除所述第三介电层以形成第二开口的步骤。

12.根据权利要求11所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，利用磷酸进行所述去除所述硅-锗源区结构、漏区结构上的所述第四介电层的步骤。

13.根据权利要求5所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述栅极绝缘材质为二氧化硅，所述栅极材质为多晶硅。