[发明专利]一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺

权利要求书

1.一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是，所述总剂量抗辐射加固工艺包括如下步骤：

（a）、提供衬底（8），并所述衬底（8）表面形成第一二氧化硅层（9）；

（b）、在上述第一二氧化硅层（9）上设置复合材料层（11），所述复合材料层（11）为非晶硅材料层（10）与第二二氧化硅层相交错分布形成，所述复合材料层（11）通过非晶硅材料层（10）与第一二氧化硅层（9）相接触；

（c）、对上述复合材料层（11）进行刻蚀，形成场区隔离结构（12）；

（d）、对上述形成场区隔离结构（12）的复合材料层（11）上淀积多晶硅，对所述多晶硅掺杂后，通过刻蚀所述多晶硅在场区上形成多晶硅条（13）；

（e）、通过在衬底（8）表面形成多晶硅条（13）表面离子注入形成源漏重掺杂区（14），所述源漏重掺杂区（14）位于复合材料层（11）的两侧。

2.根据权利要求1所述用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是：所述非晶硅材料层（10）通过LPCVD淀积或等离子溅射设置在第一二氧化硅层（9）上。

3.根据权利要求2所述用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是：在所述非晶硅材料层（10）上通过PECVD淀积第二二氧化硅层，并通过多次的非晶硅材料层（10）及第二二氧化硅层设置形成厚度为0.5μm~0.9μm的复合材料层（11）。

4.根据权利要求1所述用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是：所述复合材料层（11）通过LPCVD进行多晶硅淀积。

5.根据权利要求1所述用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是：所述衬底（8）的材料包括体硅或SOI硅。

6.根据权利要求2所述用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是：所述非晶硅材料层（10）的厚度为20~50nm。

7.根据权利要求1所述用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是：所述步骤（d）中，淀积得到多晶硅的厚度为300~500nm。

8.根据权利要求1所述用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是：所述源漏重掺杂区（14）在衬底（8）内的结深为100~500nm。

9.根据权利要求1所述用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是：所述第一二氧化硅层（9）的厚度为10~40nm。

10.根据权利要求1所述用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是：所述第一二氧化硅层（9）通过热氧化形成于衬底（8）的表面。