[发明专利]拥有低压逻辑器件和高压器件的芯片制造方法

权利要求书

1.一种拥有低压逻辑器件和高压器件的芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.硅衬底的一侧为高压器件区域，另一侧为低压逻辑器件区域，在硅衬底上成长厚栅极氧化层，然后在厚栅极氧化层上面形成保护硬质掩膜层；

二.将低压逻辑器件区域的保护硬质掩膜层及厚栅极氧化层去除露出硅衬底，保留高压器件区域的厚栅极氧化层及保护硬质掩膜层；

三.在低压逻辑器件区域的硅衬底上以及高压器件区域的厚栅极氧化层顶部保护硬质掩膜层上形成保护氧化层；

四.利用高压器件区域的厚栅极氧化层作为对准基准，进行高压器件阱注入及热过程；

五.在高压器件区域及低压逻辑器件区域的保护氧化层上形成沟道隔离硬质掩膜层；

六.形成浅沟道隔离；

七.浅沟道隔离内场区氧化层沉积及化学机械研磨和沟道隔离硬质掩膜层剥离，使高压器件区域的硅衬底上依次为厚栅极氧化层、保护硬质掩膜层和保护氧化层，低压逻辑器件区域的硅衬底上为保护氧化层；

八.在低压逻辑器件区域进行低压CMOS阱注入及开启电压调节注入；

九.将低压逻辑器件区域的保护氧化层去除，露出硅衬底，同时将高压器件区域的保护硬质掩膜层上的保护氧化层去除；

十.将高压器件区域的硬质掩膜层去除，露出高压器件区域的厚栅极氧化层；

十一.在低压逻辑器件区域的硅衬底上生长低压栅极氧化层。

2.根据权利要求1所述的拥有低压逻辑器件和高压器件的芯片的制造方法，其特征在于，

所述厚栅极氧化层为SiO2，所述保护硬质掩膜层为SiN，所述保护氧化层为SiO2，所述沟道隔离硬质掩膜层为SiN。

3.根据权利要求1或2所述的拥有低压逻辑器件和高压器件的芯片的制造方法，其特征在于，

步骤二中，利用光刻、干法等离子体腐蚀及湿法腐蚀的方法将低压逻辑器件区域的保护硬质掩膜层及厚栅极氧化层去除露出硅衬底。

4.根据权利要求1或2所述的拥有低压逻辑器件和高压器件的芯片的制造方法，其特征在于，

步骤三中，采用现场水汽生成退火工艺，在低压逻辑器件区域的硅衬底上以及高压器件区域的厚栅极氧化层顶部保护硬质掩膜层上形成保护氧化层。

5.根据权利要求1或2所述的拥有低压逻辑器件和高压器件的芯片的制造方法，其特征在于，

步骤六中，利用光刻及干法等离子体腐蚀的方法形成浅沟道隔离。

6.根据权利要求1或2所述的拥有低压逻辑器件和高压器件的芯片的制造方法，其特征在于，

步骤九中，用湿法腐蚀的方法将保护氧化层去除；

步骤十中，用湿法腐蚀的方法将高压器件区域的硬质掩膜层去除。

7.根据权利要求1或2所述的拥有低压逻辑器件和高压器件的芯片的制造方法，其特征在于，

步骤十一中，利用热氧化的方法在低压逻辑器件区域的硅衬底上生长低压栅极氧化层。