[发明专利]可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法

权利要求书

1.一种可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第一导电类型的阱区、形成在所述第一导电类型的阱区上表面用以形成沟槽的第一导电类型的体扩散区、用于隔离的隔离区、形成在所述第一导电类型阱区上表面且相对于所述体扩散区位于所述隔离区另一侧的第二导电类型漂移区、形成在所述体扩散区上表面的源极、形成在所述漂移区上表面的漏极，以及形成在栅极绝缘层上且在空间上覆盖所述体扩散区和所述漂移区的栅极，通过形成具有与所述衬底的导电类型一致的阱区并调整所述栅极位于所述漂移区上方的宽度，控制所述漂移区的掺杂浓度和电场分布。

2.如权利要求1所述的可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述第一导电类型的阱区的掺杂浓度为5E15/cm³-1E17/cm³。

3.如权利要求1或2所述的可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括形成于所述体扩散区中并临近所述源极的体接触区以及形成于所述漂移区中的漏极接触区。

4.如权利要求1或2所述的可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述隔离区为浅沟槽隔离区或场绝缘层。

5.一种制备权利要求1所述的可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，包括以下步骤：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底中注入杂质离子形成第一导电类型的阱区；

在所述衬底的上表面内形成隔离区；

在所述第一导电类型的阱区上表面注入杂质离子分别形成第一导电类型的体扩散区和第二导电类型漂移区；所述隔离区的部分或全部位于所述漂移区的上表面中，并以预定的距离与所述体扩散区分开；

在所述衬底的上表面上形成栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上形成栅极，所述栅极在空间上覆盖所述体扩散区、所述漂移区以及所述隔离区，通过形成具有与所述衬底的导电类型一致的阱区并调整所述栅极位于所述漂移区上方的宽度，控制所述漂移区的掺杂浓度和电场分布；

在所述体扩散区的上表面形成源极，在所述漂移区的上表面形成漏极。

6.如权利要求5所述的制备可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，所述第一导电类型的阱区的掺杂浓度为5E15/cm³-1E17/cm³。

7.如权利要求5或6所述的制备可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，所述隔离区为浅沟槽隔离区或场绝缘层。

8.如权利要求5或6所述的制备可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，还包括在所述体扩散区的上表面邻近所述源极的区域形成体接触区以及在所述漂移区的上表面形成漏极接触区。

9.一种可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第一导电类型的阱区、形成在所述衬底上的第二导电类型的阱区、形成在所述第二导电类型的阱区上表面用以形成沟槽的第一导电类型的体扩散区、用于隔离的隔离区、形成在所述第二导电类型阱区上表面且相对于所述体扩散区位于所述隔离区另一侧的第一第二导电类型漂移区、形成在所述体扩散区上表面的源极、形成在所述漂移区上表面的漏极，以及形成在栅极绝缘层上且在空间上覆盖所述体扩散区和所述漂移区的栅极，通过形成具有与所述衬底的导电类型一致的阱区并调整所述栅极位于所述漂移区上方的宽度，控制所述漂移区的掺杂浓度和电场分布。

10.如权利要求9所述的可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述第一导电类型的阱区的掺杂浓度为5E15/cm³-1E17/cm³。

11.如权利要求9或10所述的可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括形成于所述体扩散区中并临近所述源极的体接触区以及形成于所述漂移区中的漏极接触区。

12.如权利要求9或10所述的可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述隔离区为浅沟槽隔离区或场绝缘层。