[发明专利]可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法。

背景技术

在高压MOS管的发展过程中，主要有垂直导电双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)和横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)。虽然VDMOS导通电阻小，占用版图面积也小，但它是纵向结构，不易和低压CMOS电路兼容。而LDMOS是平面结构，易于和大规模集成电路兼容，且工艺简单，易于实现，性能稳定，因此在各种高低电压兼容的集成电路中得到广泛的应用。

请参阅图1，图1是现有技术的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的结构示意图。如图1所示，现有技术的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管随机的例举为N沟槽型横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。所述横向双扩散金属氧化物半导体晶体管包括p型衬底100、形成在p型衬底100上的低掺杂的n型阱区110、形成在n型阱区110上表面用以形成N型沟槽的P体扩散区120、用于隔离的浅沟槽隔离140、形成在n型阱区110上表面且相对于P体扩散区120位于浅沟槽隔离140另一侧的重n型掺杂的漂移区130、形成在p体扩散区120上表面的重n型掺杂的源极150、形成在漂移区130上表面的重n型掺杂的漏极160，以及形成在栅极绝缘层上且在空间上覆盖p体扩散区120和漂移区130的栅极170。

现有技术的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管只能具备特定的电性特征，无法在其结构或工艺流程、工艺参数不变的情况下对其电性特征进行升级性的调整。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法，以解决现有技术中的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管只能具备特定的电性特征，无法在其结构不变的情况下对其电性特征进行升级性的调整的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的的第一导电类型的阱区、形成在所述第一导电类型的阱区上表面用以形成沟槽的第一导电类型的体扩散区、用于隔离的隔离区、形成在所述第一导电类型阱区上表面且相对于所述体扩散区位于所述隔离区另一侧的第二导电类型漂移区、形成在所述体扩散区上表面的源极、形成在所述漂移区上表面的漏极，以及形成在栅极绝缘层上且在空间上覆盖所述体扩散区和所述漂移区的栅极。

可选的，所述第一导电类型的阱区的掺杂浓度为5E15/cm³-1E17/cm³。

可选的，还包括形成于所述体扩散区中并临近所述源极的体接触区以及形成于所述漂移区中的漏极接触区。

可选的，所述隔离区为浅沟槽隔离区或场绝缘层。

本发明还提供一种制备上述的可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，包括以下步骤：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底中注入杂质离子形成第一导电类型的阱区；

在所述衬底的上表面内形成隔离区；

在所述第一导电类型的阱区上表面注入杂质离子分别形成第一导电类型的体扩散区和第二导电类型漂移区；所述隔离区的部分或全部位于所述漂移区的上表面中，并以预定的距离与所述体扩散区分开；

在所述衬底的上表面上形成栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上形成栅极，所述栅极在空间上覆盖所述体扩散区、所述漂移区以及所述隔离区；

在所述体扩散区的上表面形成源极，在所述漂移区的上表面形成漏极。

可选的，所述第一导电类型的阱区的掺杂浓度为5E15/cm³-1E17/cm³。

可选的，所述隔离区为浅沟槽隔离区或场绝缘层。

可选的，还包括在所述体扩散区的上表面邻近所述源极的区域形成体接触区以及在所述漂移区的上表面形成漏极接触区。

本发明还提供一种可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第一导电类型的阱区、形成在所述衬底上的第二导电类型的阱区、形成在所述第二导电类型的阱区上表面用以形成沟槽的第一导电类型的体扩散区、用于隔离的隔离区、形成在所述第二导电类型阱区上表面且相对于所述体扩散区位于所述隔离区另一侧的第一第二导电类型漂移区、形成在所述体扩散区上表面的源极、形成在所述漂移区上表面的漏极，以及形成在栅极绝缘层上且在空间上覆盖所述体扩散区和所述漂移区的栅极。