[发明专利]CMOS半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS半导体器件，包括：

NMOS晶体管，其衬底具有(100)/<110>织构；

PMOS晶体管，其衬底外延生长在该NMOS晶体管衬底上，具有(110)/<111>织构；

反应离子刻蚀工艺形成的沟槽，形成于该PMOS晶体管衬底上，其深度与该PMOS衬底厚度相等；

GeSi外延层，生长在该沟槽中，其厚度至少可填满该沟槽深度。

2.如权利要求1所述的CMOS半导体器件，其特征在于，所述沟槽截面形状为矩形。

3.如权利要求1或2所述的CMOS半导体器件，其特征在于，所述GeSi外延层厚度超出所述沟槽深度100埃以上。

4.一种制造如权利要求1所述的CMOS半导体器件的方法，包括如下步骤：

1)以(100)/<110>织构作为NMOS晶体管的衬底，在该衬底上生长(110)/<111>织构作为PMOS晶体管的衬底；

2)以反应离子刻蚀工艺形成沟槽，该沟槽深度与该PMOS衬底厚度相等；

3)以选择性外延工艺在该沟槽中生长GeSi外延层，该外延层厚度应至少可填满该沟槽深度。

5.如权利要求4所述的制造CMOS半导体器件的方法，其特征在于，所述步骤2)具体包括：以反应离子刻蚀工艺形成截面形状为矩形的沟槽，并使该沟槽底部落在所述NMOS晶体管的衬底与PMOS晶体管的衬底的接触面上。