[发明专利]稳压电路有效
申请号: | 201110391145.5 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102393780A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 陈巍巍;陈岚;龙爽;杨诗洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稳压 电路 | ||
1.一种稳压电路,其特征在于,包括:
PMOS电流镜电路、开关电路、基准电流产生电路、基准外部电压产生电路及输出电压电路;
所述基准电流产生电路、基准外部电压产生电路通过开关电路与所述PMOS电流镜电路连接;所述PMOS电流镜电路与所述输出电压电路连接。
2.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,所述开关电路包括:
第一开关电路、第二开关电路及第三开关电路;
所述第一开关电路与所述PMOS电流镜电路、第二开关电路及第三开关电路连接;
所述第二开关电路分别与所述基准电流产生电路及所述第一开关电路连接;
所述第三开关电路分别与所述基准外部电压产生电路及所述第一开关电路连接。
3.根据权利要求2所述的稳压电路,其特征在于,所述第一开关电路包括:
接收一开关控制信号的反相器A2及NMOS管M5;
所述反相器A2与所述NMOS管M5的栅极连接,所述NMOS管M5的漏极与所述PMOS电流镜电路连接,所述NMOS管M5的源极分别与所述第二开关电路及第三开关电路连接,所述NMOS管M5的衬底接地。
4.根据权利要求3所述的稳压电路,其特征在于,所述第二开关电路包括:
接收一开关控制信号的反相器A1及NMOS管M6;
所述反相器A1与所述NMOS管M6的栅极连接,所述NMOS管M6的漏极与所述NMOS管M5的源极及所述第三开关电路连接;所述NMOS管M6的源极与所述基准电流产生电路连接,所述NMOS管M6的衬底接地。
5.根据权利要求4所述的稳压电路,其特征在于,所述第三开关电路包括:
反相器A1及NMOS管M7;
所述反相器A1与所述NMOS管M7的栅极连接,所述NMOS管M7的漏极与所述NMOS管M5的源极及所述NMOS管M6的漏极连接;所述NMOS管M7的源极与所述基准外部电压连接。
6.根据权利要求5所述的稳压电路,其特征在于,所述PMOS电流镜电路包括:
PMOS管M0、PMOS管M1;
所述PMOS管M0的源极与电源vdd连接,栅极和漏极连接后分别与所述NMOS管M5的漏极及PMOS管M1的栅极连接;
所述PMOS管M1的源极和衬底与电源vdd连接,漏极与所述输出电压电路连接。
7.根据权利要求6所述的稳压电路,其特征在于,所述输出电压电路包括:
NMOS管M4;
所述NMOS管M4的栅极与漏极连接后与所述PMOS管M1的漏极连接;所述NMOS管M4的源极和衬底接地。
8.根据权利要求5所述的稳压电路,其特征在于,所述基准电流产生电路包括:
N耗尽型DMOS管M2;
所述N耗尽型DMOS管M2的栅极、源极及衬底连接后接地,漏极与所述NMOS管M6的源极连接。
9.根据权利要求5所述的稳压电路,其特征在于,所述基准外部电压产生电路包括:
NMOS管M3;
所述NMOS管M3的栅极接输入电压VREF,源极及衬底连接后接地,漏极与所述NMOS管M7的源极连接。
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