[发明专利]稳压电路

说明书

技术领域

本发明涉及电压电路技术领域，特别涉及一种稳压电路。

背景技术

常规电压产生电路的结构包括电源电压、电阻和一个电流源，其中电流源通常由MOS管实现(如图1中M0)，此MOS管的栅极和漏极被连接在一起。当电源电压vdda、电阻R和M0特性确定后，可以得到一个确定的电流I0，从而获得一个确定输出电压Vout。常规电压产生电路受电源电压变化影响较大。如图1所示，在静态工作状态下，如果电源电压vdda发生下降或上升，输出电压Vout会跟随其产生较大的下降或上升的变化。即在静态工作状态下，输出电压和电源电压有明显相关性。如果电源电压受到外界噪声干扰产生了较高频率的波动，那么输出电压Vout将发生同样较大的波动。总之无论在静态还是动态情况下，电路的电源电压vdda对输出电压Vout产生很大影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够获得稳定电压，大大减小此稳定电压受电路中电源电压变化的干扰的稳压电路。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种稳压电路包括PMOS电流镜电路、开关电路、基准电流产生电路、基准外部电压产生电路及输出电压电路；所述基准电流产生电路、基准外部电压产生电路通过开关电路与所述PMOS电流镜电路连接；所述PMOS电流镜电路与所述输出电压电路连接。

进一步地，所述开关电路包括第一开关电路、第二开关电路及第三开关电路；所述第一开关电路与所述PMOS电流镜电路、第二开关电路及第三开关电路连接；所述第二开关电路分别与所述基准电流产生电路及所述第一开关电路连接；所述第三开关电路分别与所述基准外部电压产生电路及所述第一开关电路连接。

进一步地，所述第一开关电路包括接收一开关控制信号的反相器A2及NMOS管M5；

所述反相器A2与所述NMOS管M5的栅极连接，所述NMOS管M5的漏极与所述PMOS电流镜电路连接，所述NMOS管M5的源极分别与所述第二开关电路及第三开关电路连接，所述NMOS管M5的衬底接地。

进一步地，所述第二开关电路包括接收一开关控制信号的反相器A1及NMOS管M6；

所述反相器A1与所述NMOS管M6的栅极连接，所述NMOS管M6的漏极与所述NMOS管M5的源极及所述第三开关电路连接；所述NMOS管M6的源极与所述基准电流产生电路连接，所述NMOS管M6的衬底接地。

进一步地，所述第三开关电路包括反相器A1及NMOS管M7；

所述反相器A1与所述NMOS管M7的栅极连接，所述NMOS管M7的漏极与所述NMOS管M5的源极及所述NMOS管M6的漏极连接；所述NMOS管M7的源极与所述基准外部电压连接。

进一步地，所述PMOS电流镜电路包括PMOS管M0、PMOS管M1；

所述PMOS管M0的源极与电源vdd连接，栅极和漏极连接后分别与所述NMOS管M5的漏极及PMOS管M1的栅极连接；

所述PMOS管M1的源极和衬底与电源vdd连接，漏极与所述输出电压电路连接。

进一步地，所述输出电压电路包括NMOS管M4；

所述NMOS管M4的栅极与漏极连接后与所述PMOS管M1的漏极连接；所述NMOS管M4的源极和衬底接地。

进一步地，所述基准电流产生电路包括N耗尽型DMOS管M2；所述N耗尽型DMOS管M2的栅极、源极及衬底连接后接地，漏极与所述NMOS管M6的源极连接。

进一步地，所述基准外部电压产生电路包括NM0S管M3；所述NMOS管M3的栅极接输入电压VREF，源极及衬底连接后接地，漏极与所述NMOS管M7的源极连接。

本发明提供的稳压电路，可以使电源电压达到工作状态时，就能马上输出稳定电压，大大减小此稳定电压受电路中电源电压变化的干扰：静态工作情况下，因为电源电压上升或下降而对输出电压造成的影响会大大减小；动态工作情况下，电源电压受噪声干扰而产生的波动导致输出电压也发生波动的幅度也会大大减小。

附图说明

图1为现有的常规电压产生电路的电路示意图。

图2为本发明实施例提供的稳压电路的结构示意图。

图3为图2所示稳压电路的电路原理示意图。

具体实施方式