[发明专利]一种温度控制方法及装置无效
申请号: | 201110391994.0 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN103138151A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 王国敬;周欣;王明川;骆德全;张斌 | 申请(专利权)人: | 北京大方科技有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 100088 北京市海淀区学*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 控制 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及自动控制领域,尤其涉及一种温度控制方法及装置。
背景技术
不含内置温控装置的晶体管外形(TO)封装型可调谐二极管激光器,因其体积小的优点,被广泛应用于激光气体分析仪中。因其内部不包括温控装置,所以需要在其外部安装用于控制温度的装置,传统的做法如图1所示,将激光器102固定在一块导热材料103上,例如铜片,导热材料具有一定厚度且具备引线槽激光器的管脚通过引线槽引出,并将导热材料与半导体制冷器(TEC)101的温控面相接触,使得TEC通过导热材料将热量传给激光器。
这样的温控方法因为在激光器和TEC之间增加了一层导热材料来传导温度,因而增大了系统的热阻和负载,当环境温度比较低(例如0-10摄氏度)时,就会使传导到激光器的温度偏离设定值,而出现温度控制效率低的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种温度控制方法,目的在于解决传统的TO封装型可调谐二极管激光器温控方法温度控制效率低的问题。
一种温度控制方法,用于晶体管外形TO封装型可调谐二极管激光器,包括:
在半导体制冷器上设置能够容纳所述激光器的管脚的孔,将所述管脚穿过所述孔,使得所述激光器的设置有管脚的表面贴合于所述半导体制冷器的温控面;
或者,将两个或两个以上半导体制冷器设置于同一平面,且留出能够容纳所述激光器的管脚的空隙,将所述激光器的管脚穿过所述空隙,使得所述激光器设置有管脚的表面贴合于所述两个或两个以上半导体制冷器的温控面。
优选地,所述在半导体制冷器上设置能够容纳所述激光器的管脚的孔包括:
在所述半导体制冷器上设置多个孔,所述多个孔分别与所述激光器的多个管脚一一对应。
优选地,所述在半导体制冷器上设置能够容纳所述激光器的管脚的孔包括:
在所述半导体制冷器上设置一个能够容纳所述激光器全部管脚的孔。
优选地,所述孔包括:
圆形孔或方形孔。
优选地,所述将两个或两个以上半导体制冷器设置于同一平面包括:
将两个半导体制冷器串联或并联地设置于同一平面。
优选地,所述将两个或两个以上半导体制冷器设置于同一平面包括:
将三个半导体制冷器成品字形设置于同一平面。
优选地,所述将两个或两个以上半导体制冷器设置于同一平面包括:
将四个半导体制冷器成田字形设置于同一平面。
优选地,所述半导体制冷器的连接方式包括:
串联或并联。
优选地,还包括:
将热敏电阻紧贴所述激光器。
优选地,还包括:
将所述热敏电阻固定在所述半导体制冷器的温控面上,并紧贴所述激光器。
一种温度控制装置,用于晶体管外形TO封装型可调谐二极管激光器,包括:
半导体制冷器,所述半导体制冷器的温控面上设置有孔,所述孔能够容纳所述激光器的管脚穿过所述半导体制冷器而使得所述激光器的设置有管脚的表面贴合于所述半导体制冷器的温控面;
或者包括:
两个或两个以上半导体制冷器,所述半导体制冷器设置于同一平面,且相邻的半导体制冷器间留出能够容纳所述激光器的管脚的空隙,所述空隙能够容纳激光器的管脚穿过,以使得所述激光器设置有管脚的表面贴合于所述两个或两个以上半导体制冷器的温控面。
本发明实施例提供的温度控制方法,通过在TEC上设置孔或者将两个或两个以上TEC设置在同一平面,所述TEC之间留有容纳激光器管脚空隙的方式,使激光器的管脚能够穿过孔或空隙,进而使得激光器的表面能够与TEC的温控面直接接触,这就避免了TEC与激光器之间通过导热材料来传递温度,所以温度控制更加准确,提高了温度控制的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有温度控制方法的连接示意图的;
图2为本发明实施例公开的一种温度控制方法所述的连接示意图;
图3为本发明实施例公开的又一种温度控制方法所述的连接示意图;
图4为本发明实施例公开的又一种温度控制方法所述的连接示意图;
图5为本发明实施例公开的又一种温度控制方法所述的连接示意图;
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