[发明专利]薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：

在基板主体的厚度方向的任一个面具有薄膜晶体管的构成要素即源电极、漏电极、栅电极的至少一个或具有第1电极；

在前述基板主体的内部埋入有连接于前述源电极、前述漏电极、前述栅电极以及前述第1电极的任一个的埋入布线。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：

前述埋入布线是扫描线、数据线、保持电容线、保持电容、信号线以及电源线中的任一种。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：

前述基板主体包括层叠多个基材而成的基板；

前述埋入布线埋入到前述多个基材的任一个前述基材内，或多条前述埋入布线埋入到分别不同的前述基材内。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：

前述基板主体具有柔性或伸缩性。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：

在前述基板主体的内部埋入有电子部件。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：

多个前述电子部件彼此的配置间隔，为各电子部件的1边长度的1倍以上，优选为前述1边长度的3倍以上。

7.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：

前述电子部件至少包含IC、电容器、电阻、感应器的一种以上而构成。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：

前述源电极、前述漏电极以及前述栅电极的任一个或前述第1电极的至少一部分埋入前述基板主体的内部而连接于前述埋入布线。

9.根据权利要求2～8中的任一项所述的薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：

前述埋入布线的线宽，设定为比配置于前述埋入布线彼此之间的绝缘部件的厚度的各尺寸小的尺寸。

10.一种半导体装置，其特征在于，具备：

基板，其包括权利要求1～9中的任一项所述的薄膜晶体管形成用基板；

薄膜晶体管，其包含在前述基板上形成的前述薄膜晶体管的构成要素的一部分而构成，具有半导体层、栅电极、漏电极以及源电极；

前述第1电极，其连接于前述漏电极；以及

埋入布线，其埋入前述基板内而连接于前述薄膜晶体管。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：

前述源电极以及前述漏电极与前述第1电极在同一层形成。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其特征在于：

在前述薄膜晶体管中，成为半导体层、前述源电极以及前述漏电极的至少一部分通过一对前述栅电极挟入的双栅构造。

13.一种电装置，其特征在于，具备：

元件基板，其包括权利要求10～12所述的半导体装置；

对置基板，其与前述元件基板相对配置；以及

功能元件，其配置于前述元件基板与前述对置基板之间；

其中，前述对置基板在前述功能元件侧具有对置电极；

前述元件基板在前述功能元件侧的面具有多个第1电极；

对于前述多个第1电极，在与前述对置电极之间由前述电子部件供给用于驱动前述功能元件的电压。

14.根据权利要求13所述的电装置，其特征在于：

前述元件基板以及前述对置基板具有柔性。

15.根据权利要求13所述的电装置，其特征在于：

前述元件基板以及对置基板具有伸缩性。

16.根据权利要求13～15中的任一项所述的电装置，其特征在于：

前述功能元件是具有排列多个像素而成的显示部的显示元件。

17.根据权利要求13～16中的任一项所述的电装置，其特征在于：

具有遍及多个前述像素形成的一对电极和在前述一对电极间隔着绝缘部件配置的保持电容线，

在前述一对电极与前述保持电容线之间分别形成有保持电容。