[发明专利]薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电装置。

背景技术

近年来，液晶显示装置、有机EL显示装置、电泳显示装置等平板显示器(FPD)的一般的结构，通过在由刚性玻璃基板构成的元件基板上形成TFT的有源矩阵并在该元件基板与对置基板之间夹持电光元件(功能元件)而构成。在这样的FPD中，存在重量、柔软性等问题。

作为在元件基板上形成TFT元件的方法，使用如现有文献1所记载，在玻璃基板上依次形成栅电极、半导体层、漏电极、源电极等的方法。然而，随着TFT元件的微细化进展，在使用这样的方法形成TFT元件的情况下，在TFT元件的多层布线间产生的寄生电容(静电电容)会变大，功耗会增大。

另外，一般地，在使用印刷法进行TFT元件的图案形成时其分辨率为L/S＝20/20μm左右，与光蚀刻时的分辩率L/S＝3/3μm大不相同。彩色打印机的分辨率是300dpi，1像素的大小相当于84μm。因此，实现上述印刷法中的图案形成时的分辨率是困难的。

此外，与上述分辨率的问题也有关系，但是即使由于分辨率低所以能够形成TFT元件，也无法确保除其以外直至作成保持电容为止的空间。即使假设能够确保空间，也仅能够形成小的保持电容。因此，在电泳显示装置的情况下会产生改写图像的时间增加、功耗增大的问题，在液晶装置的情况下会产生闪烁增强、图像残留增大的问题。

进而，在高精密显示中，由于TFT元件的寄生电容变大，布线间的电阻也变高，所以时间常数增加。因此，存在图像的改写速度和/或对比度的降低、闪烁增强等问题。若在A4尺寸的基板上以300dpi的分辨率形成TFT元件，则大致为3000×220万像素，占空比为1/3000，成为一般的高清晰度电视的3倍左右的像素数。

在专利文献2中，记载有在多层基板上形成TFT元件且使用多层基板中的布线形成TFT元件的电子设备的制造方法。另外，还公开有将这样的电子设备形成为显示装置的背板。

在专利文献3中，记载有下述结构：在电路基板的与电泳分散液层侧相反侧的背面配置有薄膜晶体管，隔着电路基板设置电泳分散液层和薄膜晶体管，由此防止晶体管的化学劣化。

【专利文献1】特开2010-135584号公报

【专利文献2】特表2010-506400号公报

【专利文献3】特开2004-004714号公报

然而，在专利文献2中，由于以完全单独的工序形成多层基板和由在该多层基板上形成的TFT元件等构成的薄膜部件形成层，所以工序数多且制造变得繁琐。另外，为了使TFT元件具有开关功能和/或显示图像驱动功能，需要形成保持电容。因此，除了需要在TFT层形成保持电容的工序以外，还需要用于形成保持电容的空间，高精细化变得困难。进而，一般由于多层基板由不透明基板构成所以难以进行修复，导致成品率的下降等，产生各种问题。

另外，在专利文献3中，由于薄膜晶体管在电路基板的背面构成，所以容易被湿度等侵蚀而有可能产生故障。另外，有在电光装置的制造时容易出现损伤等问题。

发明内容

本发明是鉴于上述现有技术的问题而实现的，其目的之一在于提供通过使TFT元件的构成要素之中的至少一个内置于多层基板内而能够实现薄膜晶体管的高精细化的薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电装置。

本发明的薄膜晶体管形成用基板，在基板主体的厚度方向的任一个最表面具有薄膜晶体管的构成要素即源电极、漏电极、栅电极的至少一个或具有第1电极；在前述基板主体的内部埋入有连接于前述源电极、前述漏电极、前述栅电极以及前述第1电极的任一个的埋入布线。

据此，由于设置于基板主体的表面的薄膜晶体管的构成要素的至少一部分所连接的埋入布线埋入于基板主体的内部，所以能够实现薄膜晶体管的高精细化。

此外，也可以设定为下述构成：前述埋入布线是扫描线、数据线、保持电容线、保持电容、信号线以及电源线中的任一种。

据此，通过将伴随着薄膜晶体管的高精细化而增加的布线埋入基板主体的内部，能够分别充分地确保薄膜晶体管以及埋入布线的形成空间。因而，能够消除基板上的布线形成空间的问题并且可以实现薄膜晶体管的高精细化。

此外，也可以设定为下述构成：前述基板主体包括层叠多个基材而成的基板；前述埋入布线埋入到前述多个基材的任一个前述基材内，或多条前述埋入布线埋入到分别不同的前述基材内。

据此，通过将基板设定为多个基材层叠而成的多层基板构造，能够对埋入布线的数量没有限制地确保它们的形成空间，并且可以良好地保持多条埋入布线。