[发明专利]对准标记的曝光方法及系统

权利要求书

1.一种对准标记的曝光方法，包括：

步骤s1，在硅片上涂光刻胶；

步骤s2，在硅片边缘曝光装置中对所述硅片上的对准标记所处位置的光刻胶进行曝光；

步骤s3，将经过曝光后的所述硅片进行显影；

步骤s4，将经过显影后的所述硅片进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述对准标记的曝光方法，其特征在于，

在所述步骤s2之前或之后，还包括步骤s5，对所述硅片的外侧边缘进行曝光。

3.根据权利要求1或2所述对准标记的曝光方法，其特征在于，

在所述步骤s1之前，对所述硅片进行烘烤处理。

4.根据权利要求1或2所述的对准标记的曝光方法，其特征在于，

在所述步骤s3之前，对所述硅片进行烘烤处理。

5.根据权利要求1或2所述的对准标记的曝光方法，其特征在于，所述对准标记的曝光方法中的各步骤在自动轨道系统上连续进行。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述步骤s2中的曝光时间为15-25s。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述步骤s2中的曝光强度为1000毫瓦/立方厘米。

8.一种对准标记的曝光系统，其特征在于，包括：

涂胶设备，用于在硅片上涂光刻胶；

硅片边缘曝光装置，用于对所述硅片上的对准标记所处位置的光刻胶进行曝光；

显影设备，用于将经过曝光后的所述硅片进行显影；

蚀刻设备，用于将经过显影后的所述硅片进行蚀刻。

9.根据权利要求8所述的对准标记的曝光系统，其特征在于，

所述硅片边缘曝光装置，还用于对所述硅片的外侧边缘进行曝光。

10.根据权利要求8或9所述的对准标记的曝光系统，其特征在于，

所述涂胶设备、所述硅片边缘曝光装置、所述显影设备、所述蚀刻设备，均位于同一个自动轨道系统中。