[发明专利]对准标记的曝光方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种对准标记的曝光方法及系统。

背景技术

在硅片的制造（Wafer Fabrication）的过程中，通过淀积、氧化等工艺在硅片上形成多种层结构，例如，在STI（Shallow Trench Isolation，浅槽隔离）工艺中，等离子体以很高的速度溅射至硅片表面形成氮化硅层，在淀积氮化硅层后，由于对准标记受到遮盖等原因，就可能出现对准标记（ZERO mark）不再清楚的现象。而对准标记在整个硅片制造过程中起到非常重要的作用，是保障各项制造工艺顺利进行的基准。

在现有技术中，经常使用KV层工艺的方法解决这种问题，KV 的全称为 overlay mark clear out layer,是指通过传统的光刻与蚀刻的工艺来使淀积后的对准标记重新变清楚。在现有技术中，需要使用专门的曝光设备，例如扫描曝光设备，通过扫描曝光的方式，对硅片上对准标记的位置进行曝光显影，通过曝光显影可以使得对准标记重新变得清晰，从而就有利于后阶段制程的定位找准。对于现有技术来说，使用扫描曝光设备进行对准标记曝光的方法的优点在于其曝光的精确度，可以实现对对准标记所处位置的精确曝光。

在实现上述对准标记的曝光方法过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

由于现有的对准标记的曝光方法对于对准标记的曝光需要扫描曝光设备进行对准标记的曝光，并在曝光的同时需要使用掩膜版，这样，就会影响到扫描曝光设备的使用寿命，并增加对掩膜版的使用频率。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种对准标记的曝光方法及曝光系统，采用硅片边缘曝光装置（wafer edge exposure，简称WEE）进行对准标记的曝光，提高了扫描曝光设备的使用寿命，并减少了对掩膜版的使用频率。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种对准标记的曝光方法，包括：

步骤s1，在硅片上涂光刻胶；

步骤s2，在硅片边缘曝光装置中对所述硅片上的对准标记所处位置的光刻胶进行曝光；

步骤s3，将经过曝光后的所述硅片进行显影；

步骤s4，将经过显影后的所述硅片进行蚀刻。

优选的，在所述步骤s2之前或之后，还包括步骤s5，对所述硅片的外侧边缘进行曝光。

优选的，在所述步骤s1之前，对所述硅片进行烘烤处理。

优选的，在所述步骤s2之后，对所述硅片进行烘烤处理。

优选的，所述对准标记的曝光方法中的各步骤在自动轨道系统上连续进行。

优选的，所述步骤s2中的曝光时间为15-25s。

优选的，所述步骤s2中的曝光强度为1000毫瓦/立方厘米。 

一种对准标记的曝光系统，包括：

涂胶设备，用于在硅片上涂光刻胶；

硅片边缘曝光装置，用于对所述硅片上的对准标记所处位置的光刻胶进行曝光；

显影设备，用于将经过曝光后的所述硅片进行显影；

蚀刻设备，用于将经过显影后的所述硅片进行蚀刻。

优选的，所述硅片边缘曝光装置，还用于对所述硅片的外侧边缘进行曝光。

优选的，所述涂胶设备、所述硅片边缘曝光装置、所述显影设备、所述蚀刻设备，均位于同一个自动轨道系统中。

本发明提供的一种对准标记的曝光方法及系统，尽管WEE的曝光方式不如扫描曝光的方式精确，但是对于硅片上的对准标记来说，WEE的曝光方式的效果已经足以满足对准标记的曝光要求，并且，WEE的曝光方式的处理时间也少于扫描曝光方式的处理时间，这就提高了产品的生产效率。采用硅片边缘曝光装置进行对准标记的曝光，提高了扫描曝光设备的使用寿命，并减少了掩膜版的使用频率。 

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1为本发明实施例中对准标记的曝光方法的流程示意图； 

图2为WEE装置的结构示意图；

图3为采用硅片边缘曝光装置进行硅片外侧边缘曝光的位置示意图；

图4为 本发明实施例采用采用硅片边缘曝光装置进行对准标记曝光的位置示意图；

图5为本发明实施例中对准标记的曝光方法的流程示意图；

图6为现有技术中采用扫描曝光设备进行曝光后的对准标记的效果图片；

图7为本发明实施例中采用WEE装置进行曝光后的对准标记的效果图片。