[发明专利]记忆胞的检测方法

权利要求书

1.一种记忆胞的检测方法，其特征在于，包括：

提供半导体基板，所述半导体基板具有形成于其内的电容以及形成于其上的晶体管，所述晶体管电性连结于所述电容；

通过光学量测系统以检测所述电容的顶面的尺寸及所述电容与电性连结于所述电容的所述晶体管间的间距，进而得到第一量测值与第二量测值；以及

比较所述第一量测值及所述第二量测值与所述电容与所述晶体管的设计规格，以判定包括所述电容与所述晶体管的记忆胞的功能。

2.根据权利要求1所述的记忆胞的检测方法，其特征在于所述电容为深沟槽电容。

3.根据权利要求1所述的记忆胞的检测方法，其特征在于所述电容的所述顶面的所述尺寸为所述电容相对较小的尺寸。

4.根据权利要求1所述的记忆胞的检测方法，其特征在于所述电容与电性连结于所述电容的所述晶体管间的所述间距为介于所述电容的沟槽的外侧边与电性连结于所述电容的所述晶体管的一侧的间距。

5.根据权利要求1所述的记忆胞的检测方法，其特征在于所述光学量测系统为电子显微镜。

6.根据权利要求1所述的记忆胞的检测方法，其特征在于所述设计规格为形成所述电容与所述晶体管时的微影制程的设计规格。

7.根据权利要求1所述的记忆胞的检测方法，还包括：

当所述第一量测值与所述第二量测值不符合所述电容与所述晶体管的所述设计规格时，标记包括所述电容与所述晶体管的所述记忆胞为无效记忆胞。

8.根据权利要求1所述的记忆胞的检测方法，还包括：

当所述第一量测值与所述第二量测值符合所述电容与所述晶体管的所述设计规格时，标记包括所述电容与所述晶体管的所述记忆胞为有效记忆胞。

9.根据权利要求1所述的记忆胞的检测方法，其特征在于当所述光学量测系统在施行所述检测时，所述晶体管的闸堆栈物的整个顶面及所述电容的所述顶面的主要部份为露出的，且在其上未形成有额外膜层。

10.根据权利要求1所述的记忆胞的检测方法，其特征在于所述半导体基板为硅基板。

11.根据权利要求7所述的记忆胞的检测方法，其特征在于所述第一量测值是由于所述电容的沟槽变形而造成所述不符规格情形。

12.根据权利要求7所述的记忆胞的检测方法，其特征在于所述第二量测值是由于所述电容与所述晶体管的闸堆栈物间的误对准情形而造成所述不符规格情形。