[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，包括：

一第一电极，位于一基板上；

一第一绝缘层，覆盖该第一电极；

一栅极，位于该第一绝缘层上；

一第二电极，位于该第一电极的上方的该第一绝缘层上；

一第二绝缘层，覆盖该栅极以及该第二电极；

一半导体层，位于该栅极上方的该第二绝缘层上；

一源极以及一漏极，位于该半导体层上，其中该栅极、该半导体层、该源极以及该漏极构成一薄膜晶体管；

一第三电极，位于该第二电极的上方的该第二绝缘层上，其中该第三电极与该第一电极电性连接，且该第一电极、该第二电极以及该第三电极构成一电容器；

一第三绝缘层，覆盖该源极、该漏极以及该第三电极；以及

一像素电极，位于该第三绝缘层上且与该漏极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括一遮光部，其对应设置于该栅极的下方，且该遮光部被该第一绝缘层覆盖。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该遮光部从该第一电极延伸至该栅极的下方。

4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该遮光部遮蔽该栅极的其中一侧边且未延伸至该数据线的下方。

5.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该遮光部遮蔽该栅极的两侧边且延伸至该数据线的下方。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该漏极与该第三电极连接在一起。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该第三绝缘层中具有一接触窗开口，该像素电极通过该接触窗与该第三电极以及该漏极电性连接。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一绝缘层以及该第二绝缘层中具有一接触窗开口，且该第三电极通过该接触窗开口与该第一电极电性连接。

9.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，该接触窗位开口于该栅极以及该第二电极之间。

10.一种像素结构的制造方法，包括：

在一基板上形成一第一导电层，该第一导电层包括一第一电极；

在该第一导电层上形成一第一绝缘层；

于该第一绝缘层上形成一第二导电层，该第二导电层包括一栅极以及一第二电极，且该第二电极位于该第一电极的上方；

在该第二导电层上形成一第二绝缘层；

于该栅极上方的该第二绝缘层上形成一半导体层；

于该第二绝缘层上形成一第三导电层，该第三导电层包括一源极、一漏极以及一第三电极，该源极与该漏极位于该半导体层上，该第三电极位于该第二电极的上方且与该第一电极电性连接，其中该栅极、该半导体层、该源极以及该漏极构成一薄膜晶体管，且该第一电极、该第二电极以及该第三电极构成一电容器；

于该第三导电层上形成一第三绝缘层；以及

于该第三绝缘层上形成一像素电极，其中该像素电极与该漏极电性连接。

11.如权利要求10所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该第一导电层更包括一遮光部，其对应设置于该栅极的下方。

12.如权利要求11所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该遮光部从该第一电极延伸至该栅极的下方。

13.如权利要求11所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该遮光部遮蔽该栅极的其中一侧边且未延伸至该数据线的下方。

14.如权利要求11所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该遮光部遮蔽该栅极的两侧边且延伸至该数据线的下方。

15.如权利要求10所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该漏极与该第三电极连接在一起。

16.如权利要求15所述的像素结构的制造方法，其特征在于，在形成该第三绝缘层之后，更包括在该第三绝缘层中形成一接触窗开口，以暴露出该第三电极，且该像素电极通过该接触窗开口与该第三电极电性连接。

17.如权利要求10所述的像素结构的制造方法，其特征在于，于形成该第二绝缘层之后，更包括在该第一绝缘层以及该第二绝缘层中形成一接触窗开口，以暴露出该第一电极，且该第三电极通过该接触窗开口与该第一电极电性连接。

18.如权利要求17所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该接触窗开口位于该栅极以及该第二电极之间。