[发明专利]像素结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种像素结构及其制造方法。

背景技术

一般而言，液晶显示器的像素结构包括薄膜晶体管与像素电极。薄膜晶体管用来作为液晶显示单元的开关元件。而为了控制个别的像素结构，通常会经由对应的扫描线与数据线来选取特定的像素，并通过提供适当的操作电压，以显示对应此像素的显示数据。另外，像素结构中还包括储存电容器(storagecapacitor)，使得像素结构具有电压保持的功能。也就是，储存电容器能够储存上述所施加的操作电压，以维持像素结构显示画面的稳定性。

为了在像素结构中设置储存电容器，一般会需要在像素结构中形成电容电极。然而，若是为了增加储存电容器的电容值而增加电容电极的面积，将会降低像素结构的开口率。

目前已经有一种像素结构是将电容电极设计在数据线的下方，以增加像素结构的开口率。然而，因电容电极与数据线重叠会增加像素结构的负载(loading)，因此，此种像素结构会增加显示面板驱动所需的电源而较为耗电。

发明内容

本发明提供一种像素结构及其制造方法，其可以使像素结构具有高开口率且不会增加像素结构的负载。

本发明提出一种像素结构，其包括第一电极、第一绝缘层、栅极、第二电极、第二绝缘层、半导体层、源极以及漏极、第三电极、第三绝缘层以及像素电极。第一电极位于基板上。第一绝缘层覆盖第一电极。栅极位于第一绝缘层上。第二电极位于第一电极的上方的第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖栅极以及第二电极。半导体层位于栅极上方的第二绝缘层上。源极以及漏极位于半导体层上，其中栅极、半导体层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。第三电极位于第二电极的上方的第二绝缘层上，其中第三电极与第一电极电性连接，且第一电极、第二电极以及第三电极构成电容器。第三绝缘层覆盖源极、漏极以及第三电极。像素电极位于第三绝缘层上且与漏极电性连接。

本发明另提出一种像素结构的制造方法。此方法包括在基板上形成第一导电层，第一导电层包括第一电极。在第一导电层上形成第一绝缘层。于第一绝缘层上形成第二导电层，且第二导电层包括栅极以及第二电极，且第二电极位于第一电极的上方。在第二导电层上形成第二绝缘层。于栅极上方的第二绝缘层上形成半导体层。于第二绝缘层上形成第三导电层，第三导电层包括源极、漏极以及第三电极，源极与漏极位于半导体层上，第三电极位于第二电极的上方且与第一电极电性连接，其中栅极、半导体层、源极以及漏极构成薄膜晶体管，且第一电极、第二电极以及第三电极构成电容器。于第三导电层上形成第三绝缘层。于第三绝缘层上形成像素电极，其中像素电极与漏极电性连接。

基于上述，本发明的电容器是由第一电极、第二电极以及第三电极构成，且第一电极位于第二电极下方的第一绝缘层的下。因此本发明可以在不影响像素结构的开口率的前提下提高电容器的储存电容值，并且可以制作成高解析度的显示器。另外，因电容器的第一电极、第二电极以及第三电极都不是设置于数据线下方，因此本发明的电容器不增加像素结构的负载。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1I是根据本发明一实施例的像素结构制造流程剖面示意图。

图2是依照本发明一实施例的像素结构的上视示意图，其中剖面线I-I’以及剖面线II-II’即是对应图1A至图1I的剖面图。

图3是依照本发明一实施例的像素结构的上视示意图。

图4是图3的像素结构沿着剖面线I-I’以及剖面线II-II’的剖面示意图。

图5是依照本发明一实施例的像素结构的上视示意图。

图6是图5的像素结构沿着剖面线I-I’以及剖面线II-II’的剖面示意图。

图7是根据本发明另一实施例的像素结构的剖面示意图。

图8是依照本发明一实施例的像素结构的上视示意图。

附图标记说明

100：基板

102：第一绝缘层

104：第二绝缘层

106、110：第三绝缘层

E1：第一电极

E2：第二电极

E3：第三电极

CS：电容器

G：栅极

S：源极

D：漏极

T：薄膜晶体管

SE：半导体层

CH：通道层

OH：欧姆接触层

PE：像素电极

C1、C2：接触窗