[发明专利]一种碳纳米管场发射阴极的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管场发射阴极的制备方法，所述制备方法步骤如下：

步骤一、采用二次阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；

步骤二、将步骤一得到的多孔阳极氧化铝模板在0.1M～0.5M的氯化镍或氯化钴溶液中浸泡4～20min后，取出晾干，得到模板2；

步骤三、用化学气相沉积法在模板2的孔洞中制备碳纳米管，得到模板3；

步骤四、在模板3没有沉积碳纳米管的一面滴加0.5M的磷酸溶液，浸泡处理20～40min后除去障壁层，用水清洗后得到模板4；

步骤五、在不锈钢基底上用银蒸发台蒸发一层厚为100～150μm的银浆层后，取出基底，将模板4生长碳纳米管的一面粘贴到银浆层上；得到本发明所述的一种碳纳米管场发射阴极。

2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管场发射阴极的制备方法，其特征在于：步骤一中在制备多孔阳极氧化铝模板的后期采用降压法。

3.根据权利要求1所述的一种碳纳米管场发射阴极的制备方法，其特征在于：步骤二中将多孔阳极氧化铝模板清洗后，放入0.3M的磷酸溶液中，在30℃下浸泡30分钟，得到模板1，将模板1在0.1M～0.5M的氯化镍或氯化钴溶液中浸泡4～20min后，取出晾干，得到模板2。

4.根据权利要求1所述的一种碳纳米管场发射阴极的制备方法，其特征在于：步骤三中化学气相沉积条件为：压强50～150Pa，温度650～850℃，沉积时间10min～120min；氢气为还原气体；氢气流速为60～100sccm；氩气为保护气，氩气流速为60～80sccm，乙炔为碳源，乙炔流速为5～50sccm；沉积结束后自然降温。

5.根据权利要求1所述的一种碳纳米管场发射阴极的制备方法，其特征在于：步骤五中磷酸溶液的用量为0.5～3ml/cm²。