[发明专利]晶片级发光装置封装件及其制造方法有效
申请号: | 201110396498.4 | 申请日: | 2011-11-29 |
公开(公告)号: | CN102593316A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 黄圣德 | 申请(专利权)人: | 三星LED株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 发光 装置 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶片级发光装置封装件,所述晶片级发光装置封装件包括:
发光结构;
多个电极焊盘,形成在发光结构的发光表面的相对表面上;
聚合物层,形成在发光结构的所述相对表面上以覆盖电极焊盘和发光结构,并且包括形成在聚合物层的与电极焊盘对应的区域中的多个第一通孔;
封装基底,形成在聚合物层上并包括在封装基底的与第一通孔对应的区域中的多个第二通孔;以及
多个电极,形成在第一通孔和第二通孔中并电连接到电极焊盘。
2.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,其中,第一通孔形成在与电极焊盘对应的位置处并暴露电极焊盘的部分。
3.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,其中,第二通孔连接到第一通孔并暴露电极焊盘的部分。
4.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,所述晶片级发光装置封装件还包括在第一通孔的内壁与电极之间以及在第二通孔的内壁与电极之间的绝缘层。
5.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,其中,聚合物层由光敏聚合物材料形成。
6.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,其中,电极形成在第一通孔和第二通孔的内壁上并电连接到电极焊盘。
7.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,其中,通过用导电材料填充第一通孔和第二通孔而形成电极,并且电极电连接到电极焊盘。
8.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,其中,发光结构还包括波纹结构。
9.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,所述晶片级发光装置封装件还包括在发光结构上的磷光体层和光学透镜中的至少一个。
10.如权利要求4所述的晶片级发光装置封装件,其中,绝缘层由光敏有机材料形成。
11.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,其中,
发光结构包括:
n型半导体层;
有源层,形成在n型半导体层上;以及
p型半导体层,形成在有源层上,
其中,电极焊盘包括:
n型电极焊盘,在n型半导体层上并与有源层和p型半导体层分隔开;以及
p型电极焊盘,在p型半导体层上。
12.如权利要求1所述的晶片级发光装置封装件,其中,
发光结构包括:
n型半导体层;
有源层,形成在n型半导体层上;以及
p型半导体层,形成在有源层上,
其中,电极焊盘包括:
n型电极焊盘,在n型半导体层上并与有源层和p型半导体层分隔开;以及
p型电极焊盘,在p型半导体层上,并且
n型半导体层通过填充在形成于n型半导体层的部分、p型半导体层和有源层中的至少一个通孔中的第一导体连接到n型电极焊盘,并且p型半导体层通过形成在p型电极焊盘的下表面上的第二导体连接到p型电极焊盘。
13.一种制造晶片级发光装置封装件的方法,所述方法包括下述步骤:
在基底上形成发光结构;
在发光结构的发光表面的相对表面上形成多个电极焊盘;
在发光结构的所述相对表面上形成聚合物层以覆盖电极焊盘和发光结构;
在聚合物层中与电极焊盘对应的区域中形成多个第一通孔;
将封装基底结合到聚合物层上;
在封装基底中与第一通孔对应的区域中形成多个第二通孔;
在第一通孔和第二通孔的内壁上形成连接到电极焊盘的多个电极;
从发光结构除去基底;以及
将发光结构和封装基底分成多个发光装置封装件。
14.如权利要求13所述的方法,其中,形成第一通孔的步骤包括通过第一通孔暴露电极焊盘的部分。
15.如权利要求13所述的方法,其中,形成第二通孔的步骤包括将第二通孔连接到第一通孔并通过第一通孔和第二通孔暴露电极焊盘的部分。
16.如权利要求13所述的方法,所述方法还包括在第一通孔的内壁与电极之间以及第二通孔的内壁与电极之间形成绝缘层。
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