[发明专利]晶片级发光装置封装件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110396498.4 申请日: 2011-11-29
公开(公告)号: CN102593316A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 黄圣德 申请(专利权)人: 三星LED株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;韩明星
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 晶片 发光 装置 封装 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本公开涉及晶片级发光装置封装件及其制造方法。

背景技术

近来,电子部件被小型化和轻型化,在发光二极管(LED)领域也是一样。使电子部件小型化和轻型化的技术之一为晶片级封装件。在传统的半导体芯片封装件技术中,以单独的单芯片单元执行用于形成封装件的后续工艺。然而,在晶片级封装件技术中,在晶片上形成多个半导体芯片之后,执行用于封装半导体芯片的一系列组装工艺,然后,通过切割晶片来制造最终产品。因此,近来已积极地进行关于以晶片级封装件制造LED的方法的研究。

发明内容

所提供的是晶片级发光装置封装件及其制造方法。

在下面的描述中,附加方面将被部分地阐述,部分通过描述将是明显的,或者可以通过提出的实施例的实践而获知。

根据本发明的一方面,提供了一种晶片级发光装置封装件,该晶片级发光装置封装件包括:发光结构;多个电极焊盘,形成在发光结构的发光表面的相对表面上;聚合物层,形成在发光结构的所述相对表面上以覆盖电极焊盘和发光结构,并且包括形成在聚合物层的与电极焊盘对应的区域中的多个第一通孔;封装基底,形成在聚合物层上并包括在封装基底的与第一通孔对应的区域中的多个第二通孔;以及多个电极,形成在第一通孔和第二通孔中并电连接到电极焊盘。

第一通孔可以形成在与电极焊盘对应的位置处并可以暴露电极焊盘的部分。

第二通孔可以连接到第一通孔并可以暴露电极焊盘的部分。

所述晶片级发光装置封装件还可以包括在第一通孔的内壁与电极之间以及在第二通孔的内壁与电极之间的绝缘层。

聚合物层可以由光敏聚合物材料形成。

电极可以形成在第一通孔和第二通孔的内壁上并可以电连接到电极焊盘。

可以通过用导电材料填充第一通孔和第二通孔来形成电极,并且电极可以电连接到电极焊盘。

发光结构还可以包括波纹结构。

所述晶片级发光装置封装件还可以包括在发光结构上的磷光体层和光学透镜中的至少一个。

绝缘层可以由光敏有机材料形成。

发光结构可以包括:n型半导体层;有源层,形成在n型半导体层上;以及p型半导体层,形成在有源层上,其中,电极焊盘包括:n型电极焊盘,在n型半导体层上并与有源层和p型半导体层分隔开;以及p型电极焊盘,在p型半导体层上。

发光结构可以包括:n型半导体层;有源层,形成在n型半导体层上;以及p型半导体层,形成在有源层上,其中,电极焊盘包括:n型电极焊盘,在n型半导体层上并与有源层和p型半导体层分隔开;以及p型电极焊盘,在p型半导体层上,并且n型半导体层通过填充在形成于n型半导体层的部分、p型半导体层和有源层中的至少一个通孔中的第一导体连接到n型电极焊盘,并且p型半导体层通过形成在p型电极焊盘的下表面上的第二导体连接到p型电极焊盘。

根据本发明的另一方面,提供了一种制造晶片级发光装置封装件的方法,所述方法包括下述步骤:在基底上形成发光结构;在发光结构的发光表面的相对表面上形成多个电极焊盘;在发光结构的表面上形成聚合物层以覆盖电极焊盘和发光结构;在聚合物层中与电极焊盘对应的区域中形成多个第一通孔;将封装基底结合到聚合物层上;在封装基底中与第一通孔对应的区域中形成多个第二通孔;在第一通孔和第二通孔的内壁上形成连接到电极焊盘的电极;从发光结构除去基底;以及将发光结构和封装基底分成多个发光装置封装件。

形成第一通孔的步骤可以包括通过第一通孔暴露电极焊盘的部分。

形成第二通孔的步骤可以包括将第二通孔连接到第一通孔并通过第一通孔和第二通孔暴露电极焊盘的部分。

所述方法还可以包括在第一通孔的内壁与电极之间以及第二通孔的内壁与电极之间形成绝缘层。

可以由光敏聚合物材料形成聚合物层。

可以通过使用从由激光钻孔、干蚀刻和湿蚀刻组成的组中选择的工艺来形成第二通孔。

可以通过使用激光剥离方法和抛光方法中的一种方法来执行除去基底的步骤。

所述方法还可以包括通过使用蚀刻方法和光刻方法中的一种方法在发光结构上形成波纹结构。

所述方法还可以包括在将发光结构和封装基底分成多个发光装置封装件之前在发光结构上形成磷光体层的步骤。

所述方法还可以包括在将发光结构和封装基底分成多个发光装置封装件之前在发光结构上形成光学透镜的步骤。

可以由光敏有机材料形成绝缘层。

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