[发明专利]具有埋入掺杂层的完全耗尽SOI器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底的表面区域中设置掺杂层；

在所述掺杂层上设置埋入氧化物层；

在所述埋入氧化物层上设置半导体层，以获得绝缘体上半导体晶片；

从所述绝缘体上半导体晶片的第一区域去除所述埋入氧化物层和所述半导体层，同时在所述绝缘体上半导体晶片的第二区域中保留所述埋入氧化物层和所述半导体层；

在所述第二区域中形成上部晶体管；

在所述第一区域中形成下部晶体管，特别是凹沟道阵列晶体管；其中

在所述第二区域中形成上部晶体管包括在所述掺杂层中或者由所述掺杂层形成背栅；以及

在所述第一区域中形成下部晶体管、特别是凹沟道阵列晶体管包括在所述掺杂层中或者由所述掺杂层形成源极和漏极区域。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述第一区域代表DRAM器件的存储器单元区域，所述第二区域代表DRAM器件的核心区域或者外围电路的区域。

3.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，进一步包括：

提供第二衬底；

在所述第二衬底上形成所述半导体层；

在所述半导体层和/或所述掺杂层上形成所述埋入氧化物层；

通过所述埋入氧化物层来键合所述第一衬底和所述第二衬底；以及

分离所述第二衬底。

4.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中形成所述掺杂层的步骤包括掺杂所述第一衬底的表面区域。

5.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中形成所述掺杂层的步骤包括在所述第一衬底的表面上形成、特别是外延生长所述掺杂层。

6.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述半导体层由硅构成或者包含硅，和/或所述第一衬底由硅构成或者包含硅。

7.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述掺杂层的掺杂剂是n掺杂剂，特别是n⁺掺杂剂，或者是p掺杂剂，特别是p⁺掺杂剂。

8.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中从所述绝缘体上半导体晶片的第一区域去除所述埋入氧化物层和所述半导体层包括：

在所述第一区域和所述第二区域中的氧化物层上形成掩膜层；

在所述第二区域中的掩膜层上形成光刻胶并且暴露所述第一区域；

去除所述第一区域中的掩膜层和半导体层；

去除所述光刻胶层；

去除所述第二区域中的掩膜层；

去除所述第二区域中的氧化物层；以及

去除所述第一区域中的埋入氧化物层；其中

在去除所述第二区域中的掩膜层之后去除所述第一区域中的埋入氧化物层。

9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，进一步包括：

在所述第二区域中形成沟槽，以将形成p沟道晶体管的区域与形成n沟道晶体管的区域分隔开；

形成分隔所述第一区域与所述第二区域的沟槽；

形成所述第一区域的p阱区域和n阱区域；以及

在所述第一区域中形成凹沟道阵列晶体管沟槽，从而所述凹沟道阵列晶体管沟槽延伸到在所述第一区域中的掺杂层的下方所形成的p阱区域中。

10.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中执行所述第一区域中的晶体管的源极和漏极区域的形成不需要进一步在所述掺杂层中注入掺杂剂。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中形成所述第一区域中的晶体管的源极和漏极区域包括在所述掺杂层中注入掺杂剂以调节掺杂分布。

12.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体器件的方法，进一步包括在与所述第一区域和所述第二区域中所形成的晶体管的栅极结构相邻的硅层上形成掺杂硅层，特别是通过外延生长来形成掺杂硅层，以便形成源极和漏极区域。