[发明专利]一种X射线传感器的制作方法

权利要求书

1.一种X射线传感器的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制备至少两条栅极扫描线；每条所述栅极扫描线作为所述X射线传感器中一行像素单元包括的开关器件的栅极；

在所述基板和栅极扫描线上依次沉积栅绝缘层、有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、第一导电层薄膜、光电转换层薄膜；对所述有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、第一导电层薄膜、光电转换层薄膜采用一道灰色调掩模工艺进行处理，得到与所述栅极扫描线交叉的至少两条数据线、光电感应器件和开关器件，每条所述数据线作为所述X射线传感器中一列像素单元包括的开关器件的漏极，所述开关器件的源极与光电感应器件的负电极连接；

制备覆盖所述光电感应器件和开关器件的第一钝化层，在所述第一钝化层上制备过孔，所述过孔位于光电感应器件区域内的选定位置处；

在第一钝化层上面，与所述数据线和开关器件对应的位置上制备偏压线，所述偏压线通过所述过孔与光电感应器件电连接；

制备覆盖所述偏压线和所述第一钝化层的第二钝化层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、第一导电层薄膜、光电转换层薄膜采用一道灰色调掩模工艺进行处理，得到与所述栅极扫描线交叉的至少两条数据线、光电感应器件和开关器件，具体包括：

在所述光电转换层薄膜上涂覆光刻胶，采用灰色调掩模板对所述光刻胶曝光、显影后，刻蚀所述光电转换层薄膜、第一导电层薄膜、欧姆接触层薄膜、有源层薄膜；

对曝光显影后的光刻胶进行灰化处理；

刻蚀掉灰化处理后暴露出来的光电转换层薄膜及以下的第一导电层薄膜、欧姆接触层薄膜和部分有源层薄膜，得到所述开关器件的沟道；

去掉灰化处理后的光刻胶，得到与所述栅极扫描线交叉的至少两条数据线、位于所述栅极扫描线和数据线分割后的区域中的光电感应器件和开关器件。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备覆盖所述偏压线和所述第一钝化层的第二钝化层，具体包括：

在所述偏压线和第一钝化层上沉积感光材料层，对所述感光材料层掩模曝光、显影、烘干后得到第二钝化层；或者

在所述偏压线和第一钝化层上沉积非感光材料层，在所述非感光材料层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶掩模曝光、显影后，刻蚀所述非感光材料层得到第二钝化层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光电感应器件为光电二极管，和/或所述开关器件为薄膜晶体管。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层为本征非晶硅层；

所述薄膜晶体管的欧姆接触层为n型非晶硅层；

所述光电二极管的光电转换层包括n型非晶硅层、本征非晶硅层和p型非晶硅层，其中所述p型非晶硅层作为光电二极管的正电极。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光电转换层还包括位于p型非晶硅层上面的作为光电感应器件正电极的氧化铟锌层或者氧化铟锡层。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的本征非晶硅层的厚度为30-300nm。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的n型非晶硅层、光电二极管的n型非晶硅层和光电二极管的p型非晶硅层的厚度为30-100nm。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光电二极管的本征非晶硅层的厚度为500-1500nm。

10.如权利要求1-9任一所述的方法，其特征在于，所述栅极扫描线、第一导电层和偏压线的厚度为100-500nm；和/或

所述第一钝化层和第二钝化层的厚度为150-2500nm。