[发明专利]一种X射线传感器的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种X射线传感器的制作方法。

背景技术

随着社会的发展和科学技术的不断进步，X射线传感器不仅在医学影像领域中扮演了十分重要的角色，在金属探伤等其他领域中也得到了广泛的应用。

平板型X射线传感器的结构与液晶显示器的结构比较相近，如图1所示，该X射线传感器的每个像素单元包括一个光电二极管11和一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)12，TFT12的栅极与X射线传感器的栅极扫描线13连接，FET12的漏极与X射线传感器的数据线14连接，TFT 12的源极与光电二极管11连接，数据线14的一端通过连接引脚连接数据驱动电路15。

该X射线传感器通过扫描驱动电路16扫描信号来控制该FET12的开关状态。当TFT 12被打开时，光电二极管11产生的光电流信号依次通过与TFT 12连接的数据线14、数据驱动电路15而被读出。通过控制栅极扫描线13与数据线14上的信号时序来完成光电信号的采集，即通过控制TFT 12的开关状态来完成对光电二极管11产生的光电流信号采集的控制工作。

现有技术的X射线传感器的中的一个像素单元的剖面图如图2所示。每一像素单元从下至上依次包括：基板21、栅极层22、栅极绝缘层23、有源层24、源漏电极层25、第一钝化层26、光电转换层27、刻蚀保护层28、第二钝化层29、公共电极层30、遮光层31及保护层32。其中，公共电极层30和源漏电极层25形成光电二极管11的两个电极，有源层24包括本征非晶硅层241和n型非晶硅层242。在刻蚀形成栅极层22、栅极绝缘层23、有源层24、源漏电极层25、第一钝化层26、光电转换层27、刻蚀保护层28、第二钝化层29、公共电极层30、遮光层31及保护层32的过程中，均需要一道掩模曝光工艺，因此该X射线传感器在制作过程中共需要11道掩模曝光工艺，相应的需要11张掩模板。

现有技术中制作X射线传感器时掩模曝光次数很多，制作工艺非常复杂，并且掩模板的成本较高，相应的产品的制作成本提高，产品良率降低，设备产能降低。

发明内容

本发明实施例提供了一种X射线传感器的制作方法，用以解决现有技术中存在的在制作X射线传感器的过程中掩模曝光次数过多导致的产品成本高、良品率低和设备产能低的问题。

本发明实施例提供了一种X射线传感器的制作方法，该方法包括：

在基板上制备至少两条栅极扫描线；每条所述栅极扫描线作为所述X射线传感器中一行像素单元包括的开关器件的栅极；

在所述基板和栅极扫描线上依次沉积栅绝缘层、有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、第一导电层薄膜、光电转换层薄膜；对所述有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、第一导电层薄膜、光电转换层薄膜采用一道灰色调掩模工艺进行处理，得到与所述栅极扫描线交叉的至少两条数据线、光电感应器件和开关器件，每条所述数据线作为所述X射线传感器中一列像素单元包括的开关器件的漏极，所述开关器件的源极与光电感应器件的负电极连接；

制备覆盖所述光电感应器件和开关器件的第一钝化层，在所述第一钝化层上制备过孔，所述过孔位于光电感应器件区域内的选定位置处；

在第一钝化层上面，与所述数据线和开关器件对应的位置上制备偏压线，所述偏压线通过所述过孔与光电感应器件电连接；

制备覆盖所述偏压线和所述第一钝化层的第二钝化层。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供了一种X射线传感器的制作方法，该制作方法首先在基板上制备栅极扫描线，该栅极扫描线同时作为开关器件的栅极，然后依次沉积栅绝缘层、有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、第一导电层薄膜、光电转换层薄膜，沉积完成后采用灰色调掩模板工艺对沉积的各层薄膜进行处理，然后依次制备第一钝化层、偏压线和第二钝化层。该方法在制备栅极扫描线、采用灰色调掩模工艺制备开关器件和光电感应器件、制备第一钝化层、制备偏压线和制备第二钝化层时，各使用一张掩模板，完成该方法的步骤共需要5张掩模板，由于掩模板的成本较高，相对于现有技术中制备X射线传感器需要11张掩模板而言，该方法降低了产品成本；由于使用掩模板数量减少，相应的处理工艺减少，这也就减少了产品损坏的几率即减少了产品不良发生率，从而提高了良品率和设备产能。

附图说明

图1为现有技术中的X射线传感器的电路原理图；

图2为现有技术中的X射线传感器的一个像素单元的剖面图；

图3为本发明实施例中的X射线传感器的制备流程图；