[发明专利]多芯片存储器件和控制该存储器件的方法有效

专利信息
申请号: 201110399064.X 申请日: 2011-12-05
公开(公告)号: CN102591590A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 郑会柱 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F13/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 李琳
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 芯片 存储 器件 控制 方法
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年12月3日提交的第10-2010-0122920号韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及半导体存储器件,更具体地,涉及包括多个存储器芯片的多芯片存储器件和控制该存储器件的方法。

背景技术

随着移动设备技术发展,要求小型化的和重量轻的半导体产品。为此,更多的器件被集成在单个芯片面积上以增加功能和容量。而且,开发了用于把多个芯片集成到一个半导体芯片封装中的技术。

在封装技术中,双管芯封装(Dual Die Package,DDP)是一种多芯片封装技术,并且是用于把具有相同结构的两个芯片安装在一个封装中的技术。由于这两个芯片具有相同的接口,所以如果DDP的操作和单个芯片的相同则其是有益的。

发明内容

示范性实施例提供了一种包括多个被封装的相同存储器芯片的多芯片存储器件和控制该存储器件的方法,所述多芯片存储器件被外部存储器控制器识别为单个存储器芯片并作为单个存储器芯片来控制。

根据示范性实施例的方面,提供了一种多芯片存储器件,其包括:第一存储器芯片;以及第二存储器芯片,其与第一存储器芯片共享输入/输出信号线,其中,第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个通过参考命令历史确定是否执行没有附带地址的命令。

没有附带地址的(unaccompanied by an address)命令可以是状态读取命令。

第一存储器芯片和第二存储器芯片中的一个可以响应于状态读取命令通过输出驱动器输出当前执行的操作的状态。

第一存储器芯片和第二存储器芯片中没有输出当前执行的操作的状态的一个可以将输出驱动器的输出端子保持在高阻(Hi-Z)状态。

第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个还可以包括:芯片选择器,其通过参考芯片地址检测是否选择芯片;命令跟踪器,其顺序地存储输入的命令和被选择芯片的状态数据;以及,输出使能控制器,其参考状态读取命令和状态数据控制输出驱动器输出状态数据。

没有附带地址的命令可以包括挂起命令或恢复命令。

第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个可以存储连续输入的命令和命令的输入顺序信息。

当挂起命令或恢复命令被输入时,第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个可以通过参考命令的输入顺序信息确定挂起操作或恢复操作。

当挂起命令被输入时,第一存储器芯片和第二存储器芯片中最近选择的一个芯片挂起正被执行的操作。

当恢复命令被输入时,可以首先恢复最近操作通过挂起命令挂起的存储器芯片的被挂起的操作。

第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个可以包括:芯片选择器,其参考芯片地址检测是否选择芯片;以及,命令跟踪器,其存储对应于第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个的命令的历史信息和命令的输入顺序信息,其中,命令跟踪器通过参考历史信息和输入顺序信息来确定执行挂起命令还是恢复命令。

命令跟踪器可以将最近通过芯片地址选择的一个存储器芯片的操作设置成要响应于挂起命令被首先挂起。

命令跟踪器可以响应于恢复命令将最近通过芯片地址选择的一个存储器芯片的操作设置成将首先被恢复。

根据另一示范性实施例的方面,提供了一种输出包括共享输入/输出信号线的多个存储器芯片的多芯片存储器件的状态信号的方法,包括:存储从外部提供的命令和地址;参考命令和地址,存储被选择的芯片的驱动状态;从外部接收状态读取命令;以及,输出被选择芯片的驱动状态信号,并把未被选择的存储器芯片的输出端子设置在高阻(Hi-Z)状态。

状态读取命令可以输出没有附带芯片地址的状态信号。

根据另一示范性实施例的方面,提供了一种在包括共享输入/输出信号线的多个存储器芯片的多芯片存储器件中执行命令的方法,包括:存储用于多芯片中的每一个的命令和命令的输入顺序信息;接收挂起命令或恢复命令;以及,当通过参考存储的命令和输入序列信息执行挂起操作或恢复操作时,首先挂起或恢复最近从多个存储器芯片中选择的一个存储器芯片的操作。

当挂起命令或恢复命令被输入时,可以不提供芯片地址。

首先挂起或恢复的操作可以包括响应于挂起命令首先挂起最近通过芯片地址选择的一个存储器芯片的操作。

首先挂起或恢复的操作可以包括响应于恢复命令首先恢复最近通过芯片地址选择的一个存储器芯片的操作。

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