[发明专利]激光加工方法

说明书

本申请是申请日为2007年9月13日、申请号为200780034480.1、发明名称为激光加工方法的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于沿着切断预定线将具备半导体基板的板状的加工对象物切断的激光加工方法。

背景技术

现有的激光加工方法，已知有这样一种方法：以板状的加工对象物的一个面作为激光入射面而向加工对象物照射激光，从而沿着加工对象物的切断预定线，以在加工对象物的厚度方向上并列的方式，在加工对象物的内部形成作为切断的起点的多列改质区域，并且，以在另一个面露出的方式，形成多列改质区域中最接近加工对象物的另一个面的改质区域(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开第2005-123329号公报

发明内容

依照上述的激光加工方法，即使在加工对象物的另一个面为金属膜的面的情况下，也能够用较小的外力沿着切断预定线切断加工对象物。

然而，在上述的激光加工方法中，由于多列改质区域中最接近加工对象物的另一个面的改质区域在另一个面露出，因而有可能从该改质区域产生粒子。

因此，本发明是鉴于这样的问题而提出的，其目的在于，提供一种能够防止粒子产生并能够用较小的外力沿着切断预定线切断加工对象物的激光加工方法。

为了达到上述目的，本发明的激光加工方法，通过以具备半导体基板的板状的加工对象物的一个面为激光入射面并向加工对象物照射激光，从而沿着加工对象物的切断预定线，以在加工对象物的厚度方向上并列的方式，在半导体基板的内部形成作为切断的起点的多列改质区域，该激光加工方法包括：形成多列改质区域中最接近加工对象物的另一个面的改质区域，同时沿着切断预定线在另一个面形成具有规定的深度的弱化区域的工序；以及形成多列改质区域中除了最接近另一个面的改质区域以外的改质区域的工序。

在该激光加工方法中，沿着切断预定线，以在加工对象物的厚度方向上并列的方式，在半导体基板的内部形成作为切断的起点的多列改质区域，但是，在形成最接近加工对象物的另一个面的改质区域时，沿着切断预定线在另一个面形成具有规定的深度的弱化区域。如此，由于各改质区域形成于半导体基板的内部，因而能够防止从改质区域产生粒子。而且，由于具有规定的深度的弱化区域沿着切断预定线形成于加工对象物的另一个面，因而能够用较小的外力沿着切断预定线切断加工对象物。

此外，通过向加工对象物照射激光，使得在加工对象物的内部产生多光子吸收及其他的光吸收，从而形成各改质区域。另外，形成多列改质区域中最接近加工对象物的另一个面的改质区域和弱化区域的工序、以及形成多列改质区域中除了最接近加工对象物的另一个面的改质区域以外的改质区域的工序的顺序不同。

本发明涉及的激光加工方法中，另一个面有时为加工对象物所具备的金属膜的面。即使在该情况下，由于具有规定的深度的弱化区域沿着切断预定线形成于金属膜的面，因而也能够用较小的外力沿着切断预定线切断加工对象物。

优选，本发明涉及的激光加工方法中，最接近另一个面的改质区域和弱化区域，以相互分离的方式形成。于是，由于最接近加工对象物的另一个面的改质区域形成于自另一个面起规定的距离的内侧，因而能够更加可靠地防止从改质区域产生粒子。

优选，本发明涉及的激光加工方法中，弱化区域沿着切断预定线形成为虚线状。于是，当外力作用于加工对象物时，由于应力容易集中于弱化区域，因而能够用更小的外力沿着切断预定线切断加工对象物。

优选，本发明的激光加工方法还包括以多列改质区域和弱化区域为切断的起点，沿着切断预定线切断加工对象物的工序。于是，能够高精度地沿着切断预定线切断加工对象物。

本发明涉及的激光加工方法中，多列改质区域有时包括熔融处理区域。

依照本发明，能够防止粒子产生，并能够用较小的外力沿着切断预定线切断加工对象物。

附图说明

图1是本实施方式涉及的激光加工方法的激光加工中的加工对象物的平面图。

图2是图1所示的加工对象物的沿II-II线的截面图。

图3是本实施方式涉及的激光加工方法的激光加工后的加工对象物的平面图。

图4是图3所示的加工对象物的沿IV-IV线的截面图。

图5是图3所示的加工对象物的沿V-V线的截面图。

图6是由本实施方式涉及的激光加工方法切断的加工对象物的平面图。