[发明专利]极低静态电流的低压降稳压器

权利要求书

1.一种极低静态电流的低压降稳压器，包括误差放大电路、输出电路、电压反馈电路和电流反馈装置；所述误差放大电路将参考电压V_ref与来自所述电压反馈电路的反馈电压之差值放大送至所述输出电路的输入端，电压反馈电路根据所述输出电路的输出电压V_out来产生所述反馈电压往所述误差放大电路，且所述误差放大电路、输出电路和电压反馈电路共同组成一个负反馈环路，使所述输出电压V_out保持稳定；所述电流反馈装置的输入端连接所述输出电路的输入端，将该输出电路的输入端电压之变化转换成送往所述误差放大电路的反馈电流之变化，且所述误差放大电路和电流反馈装置共同组成一个正反馈环路，使该误差放大电路的偏置电流随所述低压降稳压器的负载变重而增大，随负载变轻而减小；还包括为该低压降稳压器提供偏置电流的偏置电流源；其特征在于：

还包括低通滤波器，附加在所述电流反馈装置上，用来降低所述正反馈环路的主极点。

2.根据权利要求1所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

       所述输出电路和电流反馈装置均采用场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

还包括缓冲电路，该缓冲电路串联在所述误差放大电路和输出电路之间，将所述误差放大电路输出的电压进行平移或/和跟随处理后送至输出电路的输入端；所述电流反馈装置还输出第二反馈电流往该缓冲电路，使该缓冲电路的偏置电流随所述低压降稳压器的负载变重而增大，随负载变轻而减小。

4.根据权利要求1所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于

       所述误差放大电路包括运算放大器。

5.根据权利要求1所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

       电流反馈装置包括电压/电流转换器和电流镜，所述电压/电流转换器的输入端连接所述输出电路的输入端，电压/电流转换器的输出端输出转换电流往电流镜的输入端，经电流镜复制输出送往误差放大电路的所述反馈电流。

6.根据权利要求5所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

 电流反馈装置包括一对互补的场效应晶体管，即P型MOS场效应晶体管M2和N型MOS场效应晶体管M3，场效应晶体管M2的源极电连接该低压降稳压器的输入电源V_IN，漏极连接场效应晶体管M3的漏极及栅极，场效应晶体管M3的源极接地；

       所述电压/电流转换器包括P型MOS场效应晶体管M2，该电压/电流转换器的输入端即该晶体管M2的栅极，该电压/电流转换器的输出端即该晶体管M2的漏极；

       所述电流镜包括所述N型MOS场效应晶体管M3，还包括至少一个N型MOS场效应晶体管M4，该晶体管M4的源极接地，栅极电连接所述晶体管M3的栅极来组成镜像装置，以将来自晶体管M2漏极的输入电流按比例分配给晶体管M3和M4，进而在晶体管M4的漏极产生所述反馈电流。

7.根据权利要求6所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

       偏置电流源接在所述输入电源V_IN和所述P型MOS场效应晶体管M2的漏极之间，为该低压降稳压器提供偏置电流。

8.根据权利要求6所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

       该低压降稳压器采用半导体集成电路，所述按比例分配的分配比例取决于该半导体集成电路所集成的NMOS场效应晶体管M4与M3的尺寸比例。

9.根据权利要求6所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

       所述电流反馈装置还包括限流电阻R4，场效应晶体管M2的源极通过该限流电阻R4而电连接所述输入电源V_IN。

10.根据权利要求6所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

       晶体管M4的栅极通过低通滤波器来电连接所述晶体管M3的栅极。

11.根据权利要求10所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

所述低通滤波器为一阶低通滤波器，包括连接在晶体管M4和晶体管M3之间的电阻R5，还包括连接在晶体管M4的栅极和地之间的电容C3。

12.根据权利要求1所述极低静态电流的低压降稳压器，其特征在于：

       设计使所述正反馈环路的主极点频率小于或接近于所述负反馈环路的主极点频率，且所述负反馈环路的开环直流增益远大于所述正反馈环路的的开环直流增益。