[发明专利]一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

1)提供一个半导体材料作为衬底；

2)在衬底上生长一层氧化物半导体层，然后光刻和剥离形成岛状的半导体沟道区；

3)光刻显影光刻胶，形成栅介质层和栅电极的窗口；

4)生长一层绝缘介质材料作为栅介质层，紧接着生长一层导电薄膜作为栅电极，然后剥离光刻胶，暴露出沟道区的两端；

5)对暴露出来的沟道区的两端的半导体层进行处理，形成低阻的源区和漏区；

6)光刻显影光刻胶，形成源电极和漏电极的窗口；

7)生长一层导电薄膜，剥离光刻胶，生成源电极和漏电极；

8)生长一层钝化介质层，光刻和刻蚀形成栅电极、源电极和漏电极的引出孔；并生长一层金属薄膜，光刻和刻蚀形成金属电极和互连。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)所生长的氧化物半导体层采用氧化锌及其掺杂半导体材料中的一种。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)所生长的绝缘介质材料采用氧化铝、二氧化硅、氮化硅以及高介电常数绝缘材料中的一种或者其不同组合。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)所生长的导电薄膜由透明导电材料形成。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)所指的处理是利用离子注入或者Ar等离子体处理等方法形成低电阻的源区和漏区。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7)所生长的导电薄膜由纳米铟锡金属氧化物ITO形成。