[发明专利]培育食用菌高硒耐受性菌种的方法

权利要求书

1. 一种培育食用菌高硒耐受性菌种的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

（1）根据食用菌菌种选择适应食用菌菌种生长的培养基，将食用菌菌种接入培养基中进行试管菌种培养得到初始菌悬液；

（2）将培养基与硒源混合配制成梯度硒浓度的耐硒培养基，采用菌悬液接种方式将食用菌菌种接种到灭菌处理后的耐硒培养基上按照硒浓度从低到高的顺序按照常用的食用菌菌种培养方式逐一硒浓度进行耐硒培养；首次耐硒培养使用的菌悬液为初始菌悬液，耐硒培养得到的菌悬液为下一硒浓度进行耐硒培养使用的菌悬液，依次类推；当食用菌菌种生长出现下列情形之一时：

i）菌株生长周期延长至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的一倍以上；

ii）菌种生物量下降至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的30%以下，甚至不生长；

iii）菌株明显变色；

且相邻批次耐硒培养基的硒浓度差值在预定阈值内时，停止耐硒培养，并确定食用菌的最佳耐受硒浓度为前一批次耐硒培养基的硒浓度；

（3）根据步骤（2）得到的食用菌的最佳耐受硒浓度采用菌悬液接种方式，进行连续转接培养，并确定菌种的耐硒性状稳定，即得到食用菌高硒耐受性菌种。

2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中当食用菌菌种生长出现下列情形之一时：

i）菌株生长周期延长至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的一倍以上；

ii）菌种生物量下降至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的30%以下，甚至不生长；

iii）菌株明显变色；

当相邻批次耐硒培养基的硒浓度差值大于预定阈值时，调整耐硒培养基的硒浓度，使耐硒培养基的硒浓度大于前一批次耐硒培养基的硒浓度，且耐硒培养基的硒浓度小于当前批次耐硒培养基的硒浓度，然后以调整硒浓度后的耐硒培养基按照步骤（2）的方法继续进行耐硒培养。

3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中调整耐硒培养基的硒浓度是根据预定阈值或预定阈值的整数倍数进行调整，当食用菌菌种生长出现下列情形之一时：

i）菌株生长周期延长至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的一倍以上；

ii）菌种生物量下降至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的30%以下，甚至不生长；

iii）菌株明显变色；

当相邻批次耐硒培养基的硒浓度差值大于预定阈值时，调整耐硒培养基的硒浓度为当前批次耐硒培养基的硒浓度减去预定阈值或预定阈值的整数倍数后的硒浓度。

4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中调整耐硒培养基的硒浓度是根据相邻批次耐硒培养基的硒浓度进行调整，当食用菌菌种生长出现下列情形之一时：

i）菌株生长周期延长至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的一倍以上；

ii）菌种生物量下降至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的30%以下，甚至不生长；

iii）菌株明显变色；

当相邻批次耐硒培养基的硒浓度差值大于预定阈值时，调整耐硒培养基的硒浓度为相邻批次耐硒培养基的硒浓度的平均值。

5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中适应食用菌菌种生长的培养基为PDA综合培养基。

6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述方法中PDA综合培养基每100ml定容培养基中，所用原料为：马铃薯 20g，葡萄糖 2g，琼脂 1.5g，  MgSO₄·7H₂O 0.15g，KH₂PO₄ 0.3g，VB1 0.001g，pH调至6.0。

7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述方法中所述PDA综合培养基的配制方法包括先将应加入的马铃薯与蒸馏水混匀，保持沸腾30分钟后过滤，加入其他原料并充分混合后定容至所需体积的步骤。

8. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中硒源选自亚硒酸钠、硒酸钠或富硒酵母粉。

9. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述方法步骤（3）中进行连续转接培养时，出现以下情形：

a) 菌种无法生长；

b) 菌种生长周期差异明显；

c) 菌种生物量差别明显；

d) 菌株明显变色；

则判断不满足耐硒性状稳定的条件；否则认为耐硒性状稳定。

10. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述方法还包括在步骤（3）获得食用菌高硒耐受性菌种后将所获得的高硒耐受性菌种接入到含最佳耐硒浓度的含硒PDA综合培养基的固体斜面上培养，并于-80 ℃甘油管中作为高硒耐受性菌种保存的步骤。