[发明专利]TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积第一金属膜层；

对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到挡光金属。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在执行所述对第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到挡光金属之后还包括：

对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，成形第一存储电容的下电极。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在包含有所述挡光金属和第一存储电容的下电极的基板上沉积第二金属膜层，对第二金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到第一存储电容的上电极。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，将所述第一存储电容的上电极作为第二存储电容的下电极，并将所述第一存储电容和所述第二存储电容并联连接共同构成像素的存储电容。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在包含有所述挡光金属的基板上沉积第一绝缘层，该第一绝缘层为SiNx。

6.一种TFT阵列基板，包括玻璃基板和第一绝缘层，其特征在于，还包括成形于所述玻璃基板上的挡光金属，所述挡光金属通过对沉积在所述玻璃基板上的第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶的方法得到。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶而成形于所述玻璃基板上的第一存储电容的下电极。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括成形于所述第一绝缘层上的第一存储电容的上电极，所述第一存储电容的上电极通过对沉积在所述第一绝缘层上的第二金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶得到。

9.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一存储电容的上电极作为第二存储电容的下电极，所述第一存储电容和所述第二存储电容为并联连接，共同构成像素的存储电容。

10.如权利要求9所述的TFT阵列基板，其特征在于，构成所述第一存储电容上电极的金属的面积小于构成所述第一存储电容下电极的金属的面积。