[发明专利]TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及到液晶显示领域，特别涉及到一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板。

背景技术

TFT液晶显示器在广泛应用并受到人们越来越多的关注的同时，对TFT液晶显示器的显示质量的要求也越来越高。目前，TFT液晶显示器阵列基板的制造通常采用5Mask技术，包括栅电极光刻(Gate Mask)、有源层光刻(ActiveMask)、源漏极光刻(S/D Mask)、过孔光刻(Via Hole Mask)以及像素电极层光刻(Pixel Mask)的5Mask的技术，并且在每一个Mask工艺步骤中又分别包括一次或多次薄膜沉积工艺和刻蚀工艺，成形了5次薄膜沉积→光刻→刻蚀的循环过程。然而，采用这种传统的5Mask技术来制造TFT液晶显示器阵列基板，在曝光的过程中，没有对TFT开关器件进行保护，使其容易受到强光的影响，从而降低TFT开关器件的稳定性；并且，现有的存储电容，如要增大电容值时，需要增大存储电容的面积，这样便会导致相应像素的开口率减小。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种TFT阵列基板的制作方法，通过在基板上成形挡光金属实现对TFT开关器件的保护，使其不受强光影响，提高TFT开关器件的稳定性。

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

在基板上沉积第一金属膜层；

对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到挡光金属。

优选地，在执行所述对第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到挡光金属之后还包括：

对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，成形第一存储电容的下电极。

优选地，TFT阵列基板的制作方法还包括：

在包含有所述挡光金属和第一存储电容的下电极的基板上沉积第二金属膜层，对第二金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到第一存储电容的上电极。

优选地，将所述第一存储电容的上电极作为第二存储电容的下电极，并将所述第一存储电容和所述第二存储电容并联连接共同构成像素的存储电容。

优选地，TFT阵列基板的制作方法还包括：

在包含有所述挡光金属的基板上沉积第一绝缘层，该第一绝缘层为SiNx。

本发明还提供一种TFT阵列基板，包括玻璃基板和第一绝缘层，还包括成形于所述玻璃基板上的挡光金属，所述挡光金属通过对沉积在所述玻璃基板上的第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶的方法得到。

优选地，TFT阵列基板还包括对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶而成形于所述玻璃基板上的第一存储电容的下电极。

优选地，TFT阵列基板还包括成形于所述第一绝缘层上的第一存储电容的上电极，所述第一存储电容的上电极通过对沉积在所述第一绝缘层上的第二金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶得到。

优选地，所述第一存储电容的上电极作为第二存储电容的下电极，所述第一存储电容和所述第二存储电容为并联连接，共同构成像素的存储电容。

优选地，构成所述第一存储电容上电极的金属的面积小于构成所述第一存储电容下电极的金属的面积。

本发明所提供的一种TFT阵列基板的制作方法，通过4Mask的方式来制作TFT阵列基板，首先对沉积在经过清洗的玻璃基板上的第一金属膜层进行涂胶曝光显影的制程，并通过蚀刻以及去胶的方法，可以在玻璃基板上得到一层挡光金属。通过这一层挡光金属，可以在之后的制程中，对TFT开关器件起到很好的保护作用，从而可以避免其由于受到强光的照射而导致的稳定性降低的问题。并且将第一存储电容和第二存储电容并联连接，采用这种连接的方式，在需要增大存储电容的电容值时，可以同时保证存储电容的面积的减小，这样，便可以在很大程度上提高相应像素的开口率。

附图说明

图1为本发明TFT阵列基板的制作方法第一实施例的流程示意图；

图2为本发明TFT阵列基板的制作方法第二实施例的流程示意图；

图3为本发明TFT阵列基板实施例中在玻璃基板上成形挡光金属和第一存储电容的下电极后的工艺结构示意图；

图4为在图3的基础上成形第一存储电容的上电极后的工艺结构示意图；

图5为在图4的基础上刻蚀掉欧姆接触层以及成形栅电极后的工艺结构示意图；

图6为在图5的基础上成形第二存储电容的上电极后的工艺结构示意图。